[实用新型]喷嘴支架、工艺腔室和半导体处理设备有效
申请号: | 201721018277.2 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN207398075U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 孙宝林 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 支架 工艺 半导体 处理 设备 | ||
1.一种喷嘴支架,用于将喷嘴固定在顶盖上,所述喷嘴支架包括本体,所述本体上设置有安装孔,所述安装孔用于放置所述喷嘴,其特征在于,所述顶盖上设置有至少一个旋紧配合槽,所述喷嘴支架还包括自所述本体向远离所述安装孔的方向凸出的至少一个旋紧配合部,所述旋紧配合部与所述旋紧配合槽相对应,所述喷嘴支架相对所述顶盖具有锁止位置和拆卸位置;所述喷嘴支架处于所述锁止位置时,所述旋紧配合部旋入所述旋紧配合槽中,所述喷嘴支架处于所述拆卸位置时,所述旋紧配合部旋出所述旋紧配合槽。
2.根据权利要求1所述的喷嘴支架,其特征在于,所述本体上对称设置有两个所述旋紧配合部,相应地,所述顶盖上对称设置有两个所述旋紧配合槽。
3.根据权利要求1所述的喷嘴支架,其特征在于,所述旋紧配合部的末端还设置有限位部,所述喷嘴支架处于所述锁止位置时,所述限位部阻止所述旋紧配合部脱离所述旋紧配合槽。
4.根据权利要求1所述的喷嘴支架,其特征在于,所述本体呈柱状,且所述本体包括第一固定部和与所述第一固定部的一端连接的第二固定部,所述第一固定部的直径大于所述第二固定部的直径,所述第二固定部上设置有所述旋紧配合部,所述安装孔贯穿所述第一固定部和所述第二固定部。
5.根据权利要求4所述的喷嘴支架,其特征在于,所述旋紧配合部的沿所述第二固定部的周向的长度与所述安装孔的直径之比为1/2:1~2/3:1。
6.根据权利要求1所述的喷嘴支架,其特征在于,所述旋紧配合部的沿所述安装孔的轴线方向的厚度为5-8mm。
7.一种工艺腔室,所述工艺腔室包括腔体、盖设在所述腔体顶端的顶盖、喷嘴以及喷嘴支架,其特征在于,所述喷嘴支架包括权利要求1至6任意一项所述的喷嘴支架,所述喷嘴设置在所述安装孔内,所述顶盖上设置有至少一个旋紧配合槽,所述喷嘴支架处于所述锁止位置时,所述旋紧配合部旋入所述旋紧配合槽中,以使得所述喷嘴固定在所述顶盖上,所述喷嘴支架处于所述拆卸位置时,所述旋紧配合部旋出所述旋紧配合槽,以使得所述喷嘴与所述顶盖脱离。
8.根据权利要求7所述的工艺腔室,其特征在于,所述顶盖包括与所述腔体接触的第一安装面以及与所述第一安装面相对的第二安装面,所述第二安装面上设置有自所述第二安装面向所述第一安装面的方向凹陷的凹槽、自所述凹槽的底部朝向所述顶盖内部凸出的台阶面以及自所述凹槽的顶部向所述顶盖的内部以及所述顶盖的下部凸出的至少一个凸出部,所述凸出部与所述台阶面之间具有间隔,所述间隔形成所述旋紧配合槽,所述喷嘴支架处于所述锁止位置时,所述旋紧配合部设置在所述间隔中,且所述旋紧配合部的上表面与所述凸出部的下表面贴合,所述旋紧配合部的下表面与所述台阶面贴合。
9.根据权利要求8所述的工艺腔室,其特征在于,所述第一安装面与所述第二安装面之间的距离为6-12mm。
10.一种半导体处理设备,所述半导体处理设备包括工艺腔室,其特征在于,所述工艺腔室包括权利要求7至9任意一项所述的工艺腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造