[实用新型]一种集倒装芯片和引线键合芯片于一体的封装结构

说明书

本实用新型公开了一种集倒装芯片和引线键合芯片于一体的封装结构，包括一金属外壳、一金属底板和若干金属导电件，金属外壳和金属底板固定连接并构成一密闭腔体；金属导电件贯穿金属底板；封装结构还包括位于金属外壳内部的倒装芯片、引线键合芯片和具有内部走线的载板；载板设有贯穿其的让位口，载板安装于金属底板的上方；倒装芯片与载板电连接；倒装芯片的正面与金属外壳的内表面连接；载板以引线键合的方式电连接至金属导电件；引线键合芯片位于让位口内并安装于金属底板上；引线键合芯片以引线键合的方式电连接至载板。本实用新型中倒装芯片和引线键合芯片分别与金属底板和金属外壳连接，利用金属材料的导热特性，将芯片的热量带走。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装领域，尤其是一种集倒装芯片和引线键合芯片于一体的封装结构。

背景技术

随着电子产品向小型化、高密度化、高集成度和多功能化的方向迅速发展，对封装的要求也越来越高。集成功能越强大，将会带来芯片器件的数量多、种类多、功耗大等现象，封装装置除了承担芯片载体功能以外，还需要解决高密度、多类型芯片的组装，大功耗芯片的散热等要求。

参考图1，图1是常规芯片的封装装置示意图，常规封装方式将芯片 (如低功耗引线键合芯片9)、被动器件8放置在有机载板1的一面，完成芯片引线键合后，使用塑封料10将芯片与器件包封起来，在有机载板 1的另一面，则是信号的引脚(如图1中的焊球2)。

图1的封装装置对于常规的芯片如低功耗引线键合芯片来说，由于芯片的产生的热量小，对于芯片的影响不大，芯片可以正常工作，但对于其他大功耗芯片如集成大功耗倒装芯片、大功耗引线键合芯片来说，芯片的散热量大，如果不采取相应的措施帮助芯片进行散热，将会影响芯片的正常工作，然而现有的单芯片封装方式难以满足此要求。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种能解决芯片的散热问题的封装结构，即一种集倒装芯片和引线键合芯片于一体的封装结构。

本实用新型所采用的技术方案是：一种集倒装芯片和引线键合芯片于一体的封装结构，包括一金属外壳、一金属底板和若干金属导电件，所述金属外壳和金属底板固定连接并构成一密闭腔体；所述金属导电件贯穿金属底板；所述封装结构还包括位于金属外壳内部的倒装芯片、引线键合芯片和具有内部走线的载板；所述载板设有贯穿其的让位口，所述载板安装于金属底板的上方；所述倒装芯片与载板电连接；所述倒装芯片的正面与金属外壳的内表面连接；所述载板以引线键合的方式电连接至金属导电件；所述引线键合芯片位于让位口内并安装于金属底板上；所述引线键合芯片以引线键合的方式电连接至载板。

进一步地，所述引线键合芯片为大功耗引线键合芯片，和/或所述倒装芯片为大功耗倒装芯片。

进一步地，所述封装结构还包括低功耗引线键合芯片，所述低功耗引线键合芯片安装于载板上并通过引线键合的方式电连接至载板。

进一步地，所述封装结构还包括被动器件，所述被动器件安装于载板上。

进一步地，所述倒装芯片的正面与金属外壳的内表面之间；和/或所述载板与金属底板之间；和/或所述引线键合芯片的正面与金属底板之间；和/或所述低功耗引线键合芯片的正面与载板之间通过芯片粘接胶粘接。

进一步地，所述倒装芯片的正面与金属外壳的内表面之间；和/或所述引线键合芯片的正面与金属底板之间通过导热型的芯片粘接胶粘接。

进一步地，所述让位口单边的尺寸至少比引线键合芯片的大0.1mm。

进一步地，所述金属导电件设置于载板的四周。

进一步地，所述金属外壳和金属底板之间通过焊料焊接或者有机胶粘接或者封焊焊接。

进一步地，所述金属导电件之间的间距大于1.0mm；和/或所述金属导电件的直径大于0.25mm。