[实用新型]晶舟的组合挡片有效
申请号: | 201720768766.3 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN207338331U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 李晓佳;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组合 | ||
晶舟的组合挡片;提供了一种结构紧凑,安装便捷,稳定性高的晶舟的组合挡片。所述组合挡片由若干平行设置的挡片连接而成;所述组合挡片的外缘设有若干支架;所述支架上分别设有第一弧面和第二弧面,所述第一弧面与所述组合挡片的边缘适配,所述第二弧面与晶舟的对应连接面相适配。组合挡片通过支架设置在晶舟的支架上;挡片与挡片之间可通过可拆卸连接的方式组合,便于后期调整变换,提高利用率;第一弧面与第二弧面的设置可提高支架与晶舟直接连接的可靠性和稳定性。第三弧面与第二弧面的设置提高组合挡片的装配便捷性,可实现多角度、多方向安装。本实用新型具有结构紧凑,安装便捷,稳定性高等特点。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件和集成电路芯片制造技术领域,尤其涉及晶舟的组合挡片。
背景技术
半导体器件和集成电路芯片制造工艺中,经常要使用到高温扩散炉管,其用于预淀积、氧化、扩散、退火等工艺。在这些工艺中,都会有气体从炉尾通入,气体在室温下通过进气管进入高温扩散炉管后迅速膨胀,气体流量和流速均数倍增加。气体射流在炉尾形成的紊流区延伸到工艺恒温区范围,导致靠近炉尾恒温区的气体流动不稳定。另外,炉口抽取气体用的排风亦造成炉口附近的气流紊乱。因此,生产过程中通过在晶舟(用来直接承载晶圆产品的部件)的两端放置若干挡板或挡片的方式来减轻炉尾紊流区对恒温区晶片工艺的影响。实际作业中往往因为人为因素导致舟两端档片排布不足,导致反应腔体气体氛围不能达到要求,使材料膜厚不均,甚至影响材料的品质,对产品品质造成极大伤害,且排片效率低。
实用新型内容
本实用新型针对以上问题,提供了一种结构紧凑,安装便捷,稳定性高的晶舟的组合挡片。
本实用新型的技术方案是:所述组合挡片由若干平行设置的挡片连接而成;所述组合挡片的外缘设有若干支架;所述支架上分别设有第一弧面和第二弧面,所述第一弧面与所述组合挡片的边缘适配,所述第二弧面与晶舟的对应连接面相适配。
所述支架上设有第三弧面,所述第三弧面与第二弧面对称设置。
所述支架的个数为八,并均布设置在所述挡片的外缘。
所述第一弧面设有与所述挡片外缘适配的卡槽。
所述若干平行连接的挡片可拆卸连接。
本实用新型中组合挡片由若干平行设置的挡片连接而成,组合挡片通过支架设置在晶舟的支架上;挡片与挡片之间可通过可拆卸连接的方式组合,便于后期调整变换,提高利用率;第一弧面与第二弧面的设置可提高支架与晶舟直接连接的可靠性和稳定性。第三弧面与第二弧面的设置提高组合挡片的装配便捷性,可实现多角度、多方向安装。本实用新型具有结构紧凑,安装便捷,稳定性高等特点。
附图说明
图1是本实用新型使用状态结构示意图;
图2是本实用新型结构示意图;
图3是图2的左视图;
图中1是组合挡片,2是支架,3是晶舟。
具体实施方式
本实用新型如图1所示,所述组合挡片1由若干平行设置的挡片连接而成;所述组合挡片1的外缘设有若干支架2;支架2用于支撑组合挡片1;挡片与挡片之间可通过可拆卸连接的方式组合,便于后期调整变换,提高利用率;生产过程中,一般可固定预装组合好,例如一对10片的组合挡片1,一对8片的组合挡片1等预装放置,工艺需要放置10片组合挡片1时,将组合挡片1直接放置于晶舟3之上,并固定连接;所述支架2上分别设有第一弧面和第二弧面,所述第一弧面与所述组合挡片1的边缘适配,所述第二弧面与晶舟3的对应连接面相适配。第一弧面与第二弧面的设置可提高支架2与晶舟3直接连接的可靠性和稳定性。
所述支架2上设有第三弧面,所述第三弧面与第二弧面对称设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造