[实用新型]一种化学槽上的盖合装置以及清洗机台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件的清洗设备领域，尤其涉及一种应用于清洗机台上的化学槽上的盖合装置。

背景技术

化学机械抛光(CMP)是一种常用的平坦化工艺，在诸如半导体制造领域，CMP被广泛应用于氧化膜等层间绝缘层制备，以及聚合硅电极、钨插塞、浅沟槽隔离结构以及铜互连结构制备等工艺，在CMP工艺中，研磨头与铜层的摩擦会产生大量的热量，研磨浆料会与铜发生反应从而形成研磨副产物，这些副产物会附着在研磨后的铜层表面，从而降低后续形成铜互连结构性能，因此需要在铜互连结构制备的CMP工艺后，进行清洗步骤，以去除CMP工艺中所产生的副产物，提高后续形成的铜互连结构的性能。

现有的清洗操作步骤一般是将制成工艺后的晶圆放入清洗机台中的化学槽内进行清洗，其中清洗机台的化学槽内一般是酸性液体，由于化学槽在机台中处于暴露状态，化学槽中的这些酸性液体往往会排出酸性气体与机台中的部件反应，对机台中的其它部件造成腐蚀、损坏，影响机台的使用寿命。

发明内容

针对现有技术中在清洗机台中的化学槽存在的上述问题，现提供一种对化学槽进行遮盖，避免化学槽处于暴露状态，解决化学槽中的酸性气体大量溢出造成清洗机台的部件件腐蚀损坏的盖合装置。

具体技术方案如下：

一种化学槽上的盖合装置，应用于清洗晶圆的清洗机台上，包括化学槽，所述化学槽设置于所述清洗机台内，其中，还包括：

与所述化学槽适配的盖板，所述盖板水平的盖合于所述化学槽的顶部；

伸缩结构，设置于所述清洗机台的内部，所述伸缩结构的一端设置于所述清洗机台的机架上，另一端与所述盖板连接，用以控制所述盖板于所述化学槽的顶部水平的伸缩移动，使所述盖板盖合或者远离所述化学槽的顶部；

液体管，所述液体管连通所述化学槽，用以将所述化学槽中的液体排除至一回收装置。

优选的，所述盖板的由PVC材质制成。

优选的，所述伸缩结构为气缸。

优选的，所述气缸设置有一对。

优选的，所述液体管由PVC材质制成。

优选的，还包括一外壳体，所述外壳体设置于所述清洗机台上；

当所述盖板盖合于所述化学槽上时，所述外壳体用以遮盖所述盖板远离所述伸缩结构的一端。

优选的，还包括多个支撑结构，所述支撑结构设置于所述清洗机台上且位于所述外壳体的下部，所述支撑结构用以承托所述外壳体。

还包括一种清洗机台，其特征在于，包括上述的盖合装置。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过设置于化学槽顶部的盖合装置可避免化学槽完全暴露于机台中，并且可有效解决化学槽中的酸性气体大量的溢出造成机台部件腐蚀损坏的问题。

附图说明

图1为本实用新型一种化学槽上的盖合装置的实施例的结构示意图；

图2为本实用新型一种化学槽上的盖合装置的实施例中，关于伸缩结构的示意图；

图3为本实用新型一种化学槽上的盖合装置的实施例中，关于液体管的示意图.

附图标记表示：

1、清洗机台；2、盖板；3、伸缩结构；4、外壳体；5、支撑结构；6、液体管；7、回收装置；8、化学槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

如图1至图3所示，一种化学槽8上的盖合装置的实施例，应用于清洗晶圆的清洗机台1上，包括化学槽8，化学槽8设置于清洗机台1内，其特征在于，还包括：

与化学槽8适配的盖板2，盖板2水平的盖合于化学槽8的顶部；

伸缩结构3，设置于清洗机台的内部，伸缩结构3的一端设置于清洗机台1 的机架上，另一端与盖板2连接，用以控制盖板2于化学槽8的顶部水平的伸缩移动，使盖板2盖合或者远离化学槽8的顶部；

液体管6，液体管6连通化学槽8，用以将化学槽8中的液体排除至一回收装置7。