[实用新型]芯片及晶圆

说明书

一种芯片及晶圆，该芯片包括：集成电路区；位于所述集成电路区外围的切割偏斜测量结构，所述切割偏斜测量结构设有：沿着所述芯片的边缘依次设置的若干标尺部，在所述若干标尺部的排列方向上，所述若干标尺部背向所述集成电路区的末端越来越远离所述集成电路区；用于表征偏移量并沿着所述边缘依次设置的若干标记，所述若干标记与所述若干标尺部一一对应。利用本实用新型的技术方案能够判断芯片切割过程中是否存在切割偏移、切割倾斜，以及测量切割刀的偏移量、切割刀的倾斜量。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片及晶圆。

背景技术

如图1所示，晶圆在历经了复杂的制造工艺形成集成电路之后，需要沿着晶圆上呈格子状排布的若干切割道1，将晶圆切割成若干个大体呈矩形的芯片2。

现有其中一种芯片切割方法为机械刀切割，其利用机械刀直接作用在切割道1的预设切割区3上，以实现芯片2的分离。进行芯片切割时，要求机械刀仅作用在预设切割区3上，因为一旦机械刀偏斜至预设切割区3两侧的安全区4，切割应力很容易传递至芯片2内的集成电路(未图示)，造成芯片2上的集成电路功能失效。

机械刀偏斜包括机械刀偏移、机械刀倾斜两种情形。所谓机械刀偏移是指机械刀大致沿着直线L1切割，但沿着垂直于直线L1的方向过于偏向切割道1其中一侧的芯片2，所谓机械刀倾斜是指机械刀大致沿着斜线L2切割。

随着芯片尺寸的变小，芯片与芯片之间的切割道尺寸也逐步缩小，这给芯片的切割工艺带来了严峻的挑战，机械刀偏斜的概率也随之增加，然而，现有芯片切割存在的不足包括：一方面，不易判断切割过程中是否存在机械刀偏斜；另一方面，无法获得机械刀的偏斜量，因而无法根据该偏斜量针对性地对芯片的切割工艺进行调整。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题为：不易判断芯片切割过程中是否存在机械刀切偏，更无法获得机械刀的偏移量，因而无法根据该偏移量针对性地对芯片的切割工艺进行调整。

本实用新型要解决的另一问题为：不易判断芯片切割过程中是否存在机械刀切斜，更无法获得机械刀的倾斜量，因而无法根据该倾斜量针对性地对芯片的切割工艺进行调整。

为了解决上述问题，本实用新型的一个实施例提供了一种芯片，其包括：集成电路区；位于所述集成电路区外围的切割偏斜测量结构，所述切割偏斜测量结构设有：沿着所述芯片的边缘依次设置的若干标尺部，在所述若干标尺部的排列方向上，所述若干标尺部背向所述集成电路区的末端越来越远离所述集成电路区；用于表征偏移量并沿着所述边缘依次设置的若干标记，所述若干标记与所述若干标尺部一一对应。

可选地，所述切割偏斜测量结构的数量至少为两个；

两个所述切割偏斜测量结构分布在所述芯片相邻的两条边上；或者，两个所述切割偏斜测量结构分布在所述芯片背对的两条边上。

可选地，分布在所述芯片相邻两条边上的两个所述切割偏斜测量结构关于所述芯片的一对角线对称设置；

分布在所述芯片背对的两条边上的两个所述切割偏斜测量结构关于所述芯片另外两条边的中点连线对称设置。

可选地，所述若干标尺部为若干沿着所述排列方向间隔设置，并自所述集成电路区向所述边缘突出的凸块；

在所述排列方向上，所述若干凸块背向所述边缘的末端越来越远离所述集成电路区。

可选地，所述标记设置在所述凸块上。

可选地，所述标记为数字。

可选地，还包括至少覆盖在所述标尺部和所述标记上的透明绝缘部。

可选地，还包括：围绕所述集成电路区的密封环区，以及位于所述密封环区的密封环，所述切割偏斜测量结构位于所述密封环的外围。