[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

交替堆叠的多个金属层和多个通孔层；

位于所述多个金属层和所述多个通孔层中的多个导电通道；以及

器件层，与所述多个金属层中的最底部金属层邻接，并且至少包括一组异或门，每组异或门包括多个异或门，

其中，所述多个导电通道形成从所述多个金属层中的最顶部金属层至最底部金属层的多个导电路径，所述多个导电路径中的每一个导通或断开表示逻辑值，

所述多个异或门与所述多个导电路径连接，用于读取所述逻辑值，其中，所述逻辑值表征版本号。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述每组异或门中的多个异或门彼此级联，

每个异或门的第一输入端经由相应的金属层或通孔层连接至低电平或高电平。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，第一异或门的第二输入端经由相应的金属层连接至低电平或高电平。

4.根据权利要求1所述的集成电路，所述逻辑值为0或1。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，多个金属层或多个通孔层通过相应的导电路径与器件层中提供稳定低电平的单元TIEL或提供稳定高电平的单元TIEH连接。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，位于所述多个金属层的导电通道表现为一段导线，位于所述多个通孔层的导电通道表现为一个通孔。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，位于所述多个金属层中的导电通道对应的导线可形成两个导电路径，其中一种导电路径使其相应的导电层连接至低电平，而另一种导电路径使其相应的导电层连接至高电平。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其中，位于所述通孔层中的导电通道对应的通孔可形成两种通孔布置位置，其中，一种通孔布置位置使其相应的通孔层连接至低电平，另一种通孔布置位置使其相应的通孔层连接至高电平。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，每一金属层或每一通孔层的导电通道经由不同的导电路径直接与低电平或高电平连接。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其中，每一个异或门在所经由的每一通孔层对应至两个通孔。

11.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述多个金属层分别包括多个彼此隔开的区域，所述多个通孔层用于在不同的区域中连接所述金属层，其中，每个区域与相应的一组异或门相连接。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中，多组异或门分别读取多个区域的逻辑值以形成版本号。