[实用新型]半导体陶瓷电容芯片还原烧成炉

说明书

技术领域

本实用新型属于电容加工领域，具体涉及一种半导体陶瓷电容芯片还原烧成炉。

背景技术

现有的用于烧成半导体陶瓷电容芯片的还原烧成炉，如钟罩炉，只能间歇式使用，也就是说，将半导体陶瓷电容芯片生坯分批放入还原烧成炉(如钟罩炉)中进行烧结，上一批半导体陶瓷电容芯片生坯完成烧结并取出后，再将下一批半导体陶瓷电容芯片生坯放入还原烧成炉中进行烧结。这种间歇式使用方式由于需要反复的升温、降温，因此一方面生产周期较长，生产效率较低，难以满足大批量生产的使用要求，另一方面损失较多热能，能耗较大。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种半导体陶瓷电容芯片还原烧成炉，能够连续进行还原烧成的作业，大大提高了效率。

本实用新型所采用的技术方案是：一种半导体陶瓷电容芯片还原烧成炉，包括外壳、紧贴外壳内壁设置的保温层和紧贴保温层内壁设置的炉体，所述炉体内底面中部设有由驱动电机驱动的输送带，所述炉体两相对的侧面分别设有与其内部连通的进料口和出料口，所述进料口和出料口上分别设有进料门和出料门，所述进料门和出料门上分别设有位移传感器，所述炉体内顶面相对于输送带对称设有第一天然气管排和第二天然气管排，所述第一天然气管排和第二天然气管排上均设有点火装置，所述炉体内顶部与输送带对应的位置设有加热管，所述外壳顶部设有温度控制器和微处理器，所述驱动电机、位移传感器、点火装置和温度控制器均与微处理器连接，所述外壳下表面两端分别设有支撑座，其中一所述支撑座内侧设有主天然气储罐，所述主天然气储罐分别与第一天然气管排和第二天然气管排连通，另一所述支撑座内侧设有备用天然气储罐，所述备用天然气储罐分别与第一天然气管排和第二天然气管排连通。

作为优选，所述外壳由耐热钢制成，其厚度为10cm。

作为优选，所述保温层由耐火砖构成，其厚度为5cm。

作为优选，所述炉体由耐热钢制成，其壁厚为10cm。

本实用新型的有益效果在于：通过天然气形成的火帘和输送带的同时作业，保证炉体内的温度不会降低，因此保证了生产的效率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中：1、外壳；2、保温层；3、炉体；4、驱动电机；5、输送带；6、进料口；7、出料口；8、进料门；9、出料门；10、位移传感器；11、第一天然气管排；12、第二天然气管排；13、点火装置；14、加热管；15、温度控制器；16、微处理器；17、支撑座；18、主天然气储罐；19、备用天然气储罐。

具体实施方式

下面将结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图1所示，一种半导体陶瓷电容芯片还原烧成炉，包括外壳1、紧贴外壳1内壁设置的保温层2和紧贴保温层2内壁设置的炉体3，所述炉体3内底面中部设有由驱动电机4驱动的输送带5，所述炉体3两相对的侧面分别设有与其内部连通的进料口6和出料口7，所述进料口6和出料口7上分别设有进料门8和出料门9，所述进料门8和出料门9上分别设有位移传感器10，所述炉体3内顶面相对于输送带5对称设有第一天然气管排11和第二天然气管排12，所述第一天然气管排11和第二天然气管排12上均设有点火装置13，所述炉体3内顶部与输送带5对应的位置设有加热管14，所述外壳1顶部设有温度控制器15和微处理器16，所述驱动电机4、位移传感器10、点火装置13和温度控制器15均与微处理器16连接，所述外壳1下表面两端分别设有支撑座17，其中一所述支撑座17内侧设有主天然气储罐18，所述主天然气储罐18分别与第一天然气管排11和第二天然气管排12连通，另一所述支撑座17内侧设有备用天然气储罐19，所述备用天然气储罐19分别与第一天然气管排11和第二天然气管排12连通。

本实施例中，所述外壳1由耐热钢制成，其厚度为10cm。

本实施例中，所述保温层2由耐火砖构成，其厚度为5cm。

本实施例中，所述炉体3由耐热钢制成，其壁厚为10cm。

本装置使用时，首先通过温度控制器15设置炉体3内温度，进料门8打开，将半导体陶瓷电容芯片送入炉体3内。加热管14工作，进行加热，实现还原烧成。还原烧成结束后，出料门9打开，出料门9上的位移传感器10检测到出料门9出现位移，微处理器16控制点火装置13工作，第二天然气管排12燃烧，天然气形成火帘，阻隔大气进入炉体3内。驱动电机4驱动输送带5将半导体陶瓷电容芯片送到出料门9，完成出料。进料门8打开，进料门8上的位移传感器10检测到进料门8出现位移，微处理器16控制点火装置13工作，第一天然气管排11燃烧，天然气形成火帘，阻隔大气进入炉体3内，完成进料。