[实用新型]芯片封装电极结构以及使用该电极的芯片封装结构有效
| 申请号： | 201720100238.0 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206742230U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 付猛 | 申请（专利权）人： | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 电极 结构 以及 使用 | ||
1.一种芯片封装电极结构，包括：
导电层，该导电层具有第一热膨胀系数；以及
膨胀抑制层，至少部分地覆盖该导电层并用于抑制该导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。
2.如权利要求1所述的芯片封装电极结构，其特征在于该第一热膨胀系数的范围为12×10-6-60×10-6/℃。
3.如权利要求1所述的芯片封装电极结构，其特征在于该第二膨胀系数的范围为0-12×10-6/℃。
4.如权利要求1所述的芯片封装电极结构，其特征在于，该膨胀抑制层覆盖该导电层的整个上表面和/或下表面。
5.如权利要求1所述的芯片封装电极结构，其特征在于，该膨胀抑制层覆盖该导电层的上表面的一部分和/或下表面的一部分。
6.如权利要求3所述的芯片封装电极结构，其特征在于，该膨胀抑制层覆盖该导电层的上表面的周边和/或下表面的周边。
7.如权利要求3所述的芯片封装电极结构，其特征在于，该膨胀抑制层覆盖该导电层的上表面的中心和四个角落，和/或覆盖下表面的中心和四个角落。
8.如权利要求1所述的芯片封装电极结构，其特征在于，该导电层的材料为铜或含有铜的合金。
9.如权利要求1所述的芯片封装电极结构，其特征在于，该膨胀抑制层的材料为金属化陶瓷、铁镍合金、钨或钼。
10.一种芯片封装结构，包括：
芯片；以及
一个或多个与该芯片连接的如权利要求1-9任一项所述的芯片封装电极结构，其中芯片与该导电层连接。
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