[实用新型]无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构有效
| 申请号： | 201720099827.1 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN206460952U | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王宏杰;马雷;彭小滔 | 申请（专利权）人： | 合肥雷诚微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538;H01L23/367;H01L25/07 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 陆丽莉,何梅生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无基板高 散热 芯片 线性 功率放大器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是包括：功率放大芯片(110)、CMOS芯片(120)以及若干个无源器件(130)；
所述功率放大芯片(110)、CMOS芯片(120)以及若干个无源器件(130)的背面和四周通过粘结剂覆盖有塑封层(200)，所述功率放大芯片(110)和CMOS芯片(120)以及若干个无源器件(130)的正面覆盖有介电层(300)；所述介电层(300)中包含多层金属电路层(310)，并与所述功率放大芯片(110)和CMOS芯片(120)的输入输出电极(140)以及若干个无源器件(130)的外焊点相连通；在所述介电层(300)的表面设置外引脚焊盘(320)，并与所述多层金属电路层(310)相连通；在所述外引脚焊盘(320)上焊接有金属焊球(400)；从而形成单个完整功能的功率放大模块；由若干个单个完整功能的功率放大模块均匀排布，从而形成多芯片线性功率放大器结构。
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