专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高效率低谐波的功率放大器及其移动终端-CN201610642971.5有效
  • 马雷;彭小滔;李磊 - 安徽佳视通电子科技有限公司
  • 2016-08-08 - 2022-10-25 - H03F1/02
  • 本发明公开了一种高效率低谐波的功率放大器及其移动终端,利用至少一级的放大电路以级联方式连接,通过灵活配置各级放大电路中的各个单位放大单元的偏置电压或偏置电流可以在不同功率输出要求下实现功率放大器的射频增益的调节,同时负载的全新设计可以达到对第二项谐波到第十项谐波的优化以及放大器及其模块效率的优化。这种灵活而高效的功率放大器设计方案可以应用于物联网任何无线连接中需要有低谐波的需求的功率放大应用之中,并且能在多种通信制式下实现高性能,从而实现功率放大器的功率模式及谐波的调节来满足物联网中多种通信制式的需求。
  • 一种高效率谐波功率放大器及其移动终端
  • [发明专利]一种高良率的倒装芯片功率放大器及其应用-CN201610289107.1有效
  • 马雷;彭小滔;蔡志强;李磊 - 苏州雷诚芯微电子有限公司
  • 2016-05-04 - 2018-09-11 - H03F1/02
  • 本发明公开了一种高良率的倒装芯片功率放大器及其应用,其特征是:功率放大器输出级中第M个级联放大电路的NM个并联连接的单位放大单元为对称排列的四个阵列;每个阵列包含NM/4个并联连接的单位放大单元;每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND倒装芯片节点相连;每个阵列中的各个单位放大单元分别采用倒装芯片工艺并通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC倒装芯片节点相连。本发明能使用统一大小的倒装芯片节点来提高功率放大器接地的节点密度,从而达到高良率和高可靠性。
  • 一种高良率倒装芯片功率放大器及其应用
  • [实用新型]无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构-CN201720099827.1有效
  • 王宏杰;马雷;彭小滔 - 合肥雷诚微电子有限责任公司
  • 2017-01-23 - 2017-09-01 - H01L23/31
  • 本实用新型公开了一种无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构,其特征是将不同元件按功能要求组合成若干个功率放大模块物理架构,集成在一块共同的可拆卸大载片上,通过把功率放大模块中的各元件先整体塑封,塑封后载片需要拆掉,将元件输入输出电极露出并且在塑封体表面形成多层互连金属电路以及外引脚焊盘和焊球形成模块外引脚,从而构成若干个完整的线性功率放大模块,最后切割分离成单个完整功能的功率放大模块。本实用新型不仅有利于减少互连部分与射频通路的耦合,减少接地电极互连的电感,而且更高的布线密度可以大大减少互连电路层数,从而能够缩短接地电极散热的路径,达到优化模块性能和高散热性的目的。
  • 无基板高散热芯片线性功率放大器结构
  • [实用新型]一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构-CN201720099984.2有效
  • 王宏杰;马雷;彭小滔 - 合肥雷诚微电子有限责任公司
  • 2017-01-23 - 2017-08-15 - H01L23/367
  • 本实用新型公开了一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构,其特征是一个独立功能模块包含功率放大芯片、CMOS芯片、射频开关芯片、以及相匹配的无源器件等多个元件组成。其中功率放大芯片预先埋入至有机基板内部,功率放大芯片背面粘贴于基板内部的金属层上;功率放大芯片正面的电极通过基板内部的金属印制电路和过孔进行信号传输,并最终连接至基板外表层相应的焊盘;其它组成元件焊接于基板外表面,然后整体塑封。本实用新型能使功率放大芯片的散热路径尽可能缩短,同时又能充分利用基板内部空间,减少模块的平面面积,从而达到高散热性和缩小器件尺寸的目的。
  • 一种小型化散热芯片功率放大器结构

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