[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201711394911.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950246A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李冠华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜 半导体器件 外围区 核心材料层 栅极材料层 单元区 间隙壁 图案化 衬底 半导体 制造 多次使用 图案使用 制造工艺 核心区 侧壁 刻蚀 套刻 去除 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供包括单元区和外围区的半导体衬底，所述半导体衬底上由下至上依次形成有栅极材料层和核心材料层；
图案化所述核心材料层，以形成位于所述单元区的第一核心和位于所述外围区的第二核心，所述第二核心的尺寸大于所述第一核心；
在所述第一核心和所述第二核心的侧壁上形成间隙壁；
去除所述第一核心；
以所述间隙壁和所述第二核心为掩膜执行刻蚀，以图案化所述栅极材料层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一核心的步骤中不使用掩膜。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外围区包括低压电路区和高压电路区。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底的所述单元区和所述低压电路区上形成有第一栅极介电层，所述半导体衬底的所述高压电路区上形成有第二栅极介电层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，图案化所述核心材料层的步骤包括：
在所述核心材料层上由下至上依次形成盖帽层、抗反射涂层和图案化的光刻胶层；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述抗反射涂层、所述盖帽层和所述核心材料层，以形成位于所述单元区的第一核心和位于所述外围区的第二核心，所述第二核心的尺寸大于所述第一核心。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述核心材料层包括APF层。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极材料层与所述核心材料层之间形成有硬掩膜叠层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜叠层与所述核心材料层之间形成有刻蚀停止层。
9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述盖帽层为氧化物层。
10.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述抗反射涂层包括底部抗反射涂层和/或介质抗反射涂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
