[发明专利]一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法

权利要求书

1.一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法，其特征在于，将籽晶连接至籽晶托表面，采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体，所述物理气相沉积技术的参数包括：生长气氛压强为5～40 Torr，生长温度为2000～2400 ℃，生长时间为50小时以上，优选100～150小时；

所述籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底内表面上的致密碳化硅多晶膜层，所述致密碳化硅多晶膜层的尺寸为4英寸以上，厚度为0.5～10 mm，平整度为1～100μm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述致密碳化硅多晶膜层的尺寸为6～8英寸，厚度为0.5～5 mm，平整度为1～50μm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述致密碳化硅多晶膜层平整度通过高精度平面磨床加工，每次加工前必须进行工作台面和金刚石砂轮的矫正，采用100～250目的150%钻石含量与树脂结合剂的金刚石砂轮；粗磨砂轮进给量1～10μm，整体磨削速度为1～20μm/min；精磨砂轮进给量0.1～5μm，整体磨削速度为0.05～1μm/min。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，在致密碳化硅多晶膜层生长过程中，生长气氛压强为10～50 Torr，生长温度为2000～2500℃，生长时间为5～50小时。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述生长气氛为氩气、氮气、氦气和氢气中的至少一种。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述籽晶通过粘结剂或物理卡环方式紧密贴合至所述致密碳化硅多晶膜层。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述致密碳化硅多晶膜层面向籽晶的一侧的表面面积大于籽晶的底面积。

8.一种根据权利要求1-7中任一项所述方法制备的大尺寸碳化硅晶体，其特征在于，所述大尺寸晶体的尺寸为4英寸以上。