[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

一种方法，包括：形成多个介电层；在多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻多个介电层以形成开口；填充开口以形成穿透多个介电层的介电通孔；在介电通孔和多个介电层上方形成绝缘层；在介电层中形成多个接合焊盘；以及通过混合接合将器件接合至绝缘层和多个接合焊盘的一部分。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。

背景技术

集成电路的封装件变得越来越复杂，更多的器件管芯封装在同一封装件中以实现更多的功能。例如，封装件可以包括接合至同一中介层的多个器件管芯(诸如处理器和存储器数据集)。中介层可以基于半导体衬底形成，硅通孔形成在半导体衬底中以将形成在中介层的相对侧上的部件进行互连。模塑料将器件管芯封装在其中。包括中介层和器件管芯的封装件进一步接合至封装衬底。此外，表面贴装器件也可以接合至该衬底。散热器可以附接至器件管芯的顶面，以便消散器件管芯中产生的热量。散热器可以具有固定到封装衬底上的裙部(skirt portion)。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的一部分的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成绝缘层；在所述绝缘层中形成多个接合焊盘；以及通过混合接合将第一器件接合至所述绝缘层和所述多个接合焊盘的第一部分。

本发明的另一实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；形成穿透所述多个介电层的一部分的第一介电通孔和第二介电通孔；在所述多个介电层上方形成绝缘层；在所述绝缘层中形成多个接合焊盘，并且所述多个接合焊盘电连接至所述第一介电通孔和所述第二介电通孔以及所述多个再分布线；以及通过混合接合将第一器件和第二器件接合至所述绝缘层和所述多个接合焊盘的一部分，其中，所述第一器件通过所述多个再分布线中的至少一个与所述第二器件电互连。

本发明的又一实施例提供了一种封装件，包括：多个介电层；多个再分布线，位于所述多个介电层中；介电通孔，穿透所述多个介电层的一部分；多个接合焊盘，位于所述介电通孔和所述多个再分布线上方，并且连接至所述介电通孔和所述多个再分布线；第一绝缘层，所述多个接合焊盘位于所述第一绝缘层中；以及第一器件，接合至所述第一绝缘层和所述多个接合焊盘的第一部分，其中，所述第一器件包括：表面金属部件，接合至所述多个接合焊盘；以及表面介电层，接合至所述第一绝缘层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最好地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图20示出了根据一些实施例的形成无硅衬底(少硅)封装件的中间阶段的截面图。

图21至图22示出了根据一些实施例的形成少硅封装件的中间阶段的截面图。

图23至图24示出了根据一些实施例的包括少硅封装件的一些封装件的截面图。

图25示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了多种不同实施例或实例，以实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。