[发明专利]封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成封装件的方法，包括：

形成多个第一介电层；

在所述多个第一介电层中形成多个再分布线；

蚀刻所述多个第一介电层以形成开口，其中所述开口从所述多个第一介电层的顶部介电层的顶表面延伸到所述多个第一介电层的底部介电层的底表面；

填充所述开口以形成穿透所有所述多个第一介电层的介电通孔；

在所述介电通孔和所述多个第一介电层上方形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成多个接合焊盘；以及

通过混合接合将第一器件接合至所述绝缘层和所述多个接合焊盘的第一部分，

形成覆盖并接触所述第一器件的半导体衬底的氧化物层；

形成延伸到所述氧化物层中的接合焊盘；以及

通过混合接合将块状晶圆接合至所述氧化物层和所述氧化物层中的所述接合焊盘，其中，所述块状晶圆包括与所述氧化物层和所述氧化物层中的所述接合焊盘物理接触的底表面，并且其中，从所述块状晶圆的底表面到顶表面的整个所述块状晶圆中没有有源器件和无源器件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过混合接合将第二器件接合至所述绝缘层和所述多个接合焊盘的第二部分，其中，所述多个再分布线将所述第一器件连接至所述第二器件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个再分布线包括镶嵌工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电通孔不延伸至任何半导体衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述块状晶圆包括：

块状衬底；

附加氧化物层和所述附加氧化物层中的附加接合焊盘，其中，所述附加氧化物层和所述附加接合焊盘物理接触所述块状衬底，并且分别物理地接合到所述氧化物层和所述附加接合焊盘。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧化物层中的所述接合焊盘延伸到所述第一器件的半导体衬底内。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧化物层中的所述接合焊盘接触所述第一器件的半导体衬底而不延伸到所述第一器件的半导体衬底内。

8.一种形成封装件的方法，包括：

形成无硅衬底中介层，包括：

形成多个第一介电层；

在所述多个第一介电层中形成多个再分布线，其中所述多个再分布线从所述多个第一介电层的顶部介电层的顶表面延伸到所述多个第一介电层的底部介电层的底表面；

形成穿透全部所述多个第一介电层的第一介电通孔和第二介电通孔，其中，没有硅衬底围绕所述第一介电通孔和所述第二介电通孔；

在所述多个第一介电层上方形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成多个接合焊盘，并且所述多个接合焊盘电连接至所述第一介电通孔和所述第二介电通孔以及所述多个再分布线；以及

通过混合接合将第一器件和第二器件接合至所述绝缘层和所述多个接合焊盘的一部分，其中，所述第一器件通过所述多个再分布线中的至少一个与所述第二器件电互连。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用镶嵌工艺形成所述多个再分布线。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在载体上方形成聚合物层；

在所述聚合物层上方形成钝化层，其中，在所述钝化层上方形成所述多个第一介电层；

在所述聚合物层和所述钝化层中形成附加再分布线；以及

将所述载体从所述聚合物层分离。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在载体上方形成所述多个第一介电层，并且所述方法还包括：

将所述多个第一介电层从所述载体脱接合；

在所述脱接合之后，在所述多个第一介电层上形成钝化层；以及

在所述钝化层上方形成聚合物层。