[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

本申请的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在多个介电层中形成多个再分布线；在多个介电层中形成堆叠通孔，其中，堆叠通孔形成贯穿多个介电层的连续的电连接件；在堆叠通孔和多个介电层上方形成介电层；在介电层中形成多个接合焊盘；以及通过混合接合将器件管芯接合至介电层和多个接合焊盘的第一部分。本申请的实施例还提供了另一种形成封装件的方法以及一种封装件。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及封装件及其形成方法。

背景技术

集成电路的封装件变得越来越复杂，在同一封装件中封装了更多的器件管芯以实现更多的功能。例如，封装件可以包括多个器件管芯，诸如接合至同一中介层的处理器和存储器立方体。可以基于半导体衬底形成中介层，其中在半导体衬底中形成硅贯通孔以互连在中介层的相对侧上形成的部件。模塑料封装其中的器件管芯。包括中介层的封装件和器件管芯进一步接合至封装衬底。另外，表面安装器件也可以被接合至衬底。散热器可以附接至器件管芯的顶面以消散器件管芯中产生的热量。散热器可以具有固定在封装衬底上的裙部。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在多个介电层中形成多个再分布线；在多个介电层中形成堆叠通孔，其中，堆叠通孔形成贯穿多个介电层的连续的电连接件；在堆叠通孔和多个介电层上方形成介电层；在介电层中形成多个接合焊盘；以及通过混合接合将第一器件管芯接合至介电层和多个接合焊盘的第一部分。

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在多个介电层中的每个中形成多个再分布线；在多个介电层中形成无源器件；形成贯穿多个介电层的第一介电贯通孔和第二介电贯通孔；在多个介电层上方形成介电层；在介电层中形成多个接合焊盘并且电耦接至第一介电贯通孔、第二介电贯通孔、以及多个再分布线；以及通过混合接合将第一器件管芯和第二器件管芯接合至介电层和多个接合焊盘，其中，第一器件管芯和第二器件管芯通过多个再分布线电互连，以及第一器件管芯和第二器件管芯分别连接到第一介电贯通孔和第二介电贯通孔。

根据本申请的实施例，提供了一种封装件，包括：多个介电层；在多个介电层中的每个中的多个再分布线；贯穿多个介电层中的介电贯通孔，其中，介电贯通孔具有贯穿多个介电层的基本上笔直的边缘；在多个介电层中的堆叠通孔，其中，堆叠通孔彼此电连接以形成贯穿多个介电层的连续的电连接件；在介电贯通孔和多个再分布线上方的并且连接至介电贯通孔和多个再分布线的多个接合焊盘；第一介电层，多个接合焊盘位于第一介电层中；以及接合至第一介电层和多个接合焊盘的第一部分的第一器件管芯。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图27A示出根据一些实施例的无硅衬底(无Si)封装件的形成中的中间阶段的横截面图。

图27B、图27C、图27D、和图27E示出根据一些实施例的无Si封装件的横截面图。

图28至图32示出根据一些实施例的无Si封装件的形成中的中间阶段的横截面图。

图33至图35示出根据一些实施例的无Si封装件的形成中的中间阶段的横截面图。

图36和图37示出根据一些实施例的嵌入无Si封装件的封装件的横截面图。

图38示出根据一些实施例的在无Si封装件中使用的自对准金属焊盘的一些顶视图。

图39示出根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式