[发明专利]封装件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201711279542.7 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN109524314B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种形成封装件的方法,包括:

形成多个介电层;

在所述多个介电层中形成多个再分布线;

在所述多个介电层中形成堆叠通孔,其中,所述堆叠通孔形成贯穿所述多个介电层的连续的电连接件;

在所述堆叠通孔和所述多个介电层上方形成介电层;

在所述介电层中形成多个接合焊盘;以及

通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分,

其中,所述多个介电层形成在玻璃载体上方;并且所述方法还包括:

脱粘所述玻璃载体;以及

在所述玻璃载体脱粘之后,形成自对准的介电贯通孔以贯穿所述多个介电层,其中,所述自对准的介电贯通孔停止在管芯堆叠件的接合焊盘上。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括通过混合接合将第二器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第二部分,其中,所述多个再分布线将所述第一器件管芯连接至所述第二器件管芯。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个再分布线包括镶嵌工艺。

4.根据权利要求1所述的方法,还包括:

蚀刻所述多个介电层以形成开口;以及

填充所述开口以形成贯穿所述多个介电层的介电贯通孔。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将附加的器件管芯接合至所述第一器件管芯,其中,所述附加的器件管芯直接接合至所述第一器件管芯中的硅贯通孔;

在所述附加的器件管芯的半导体衬底上方形成氧化物层并且所述氧化物层与所述附加的器件管芯的所述半导体衬底接触;

形成延伸到所述氧化物层中的接合焊盘;以及

通过混合接合接合空白管芯至所述氧化物层和所述接合焊盘。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括,在所述多个介电层中形成无源器件。

7.一种形成封装件的方法,包括:

形成多个介电层;

在所述多个介电层中形成多个再分布线;

在所述多个介电层中形成堆叠通孔,其中,所述堆叠通孔形成贯穿所述多个介电层的连续的电连接件;

在所述堆叠通孔和所述多个介电层上方形成介电层;

在所述介电层中形成多个接合焊盘;以及

通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分,

其中,所述多个介电层形成在硅晶圆上方,并且所述方法还包括从所述多个介电层研磨、抛光、或蚀刻以去除所述硅晶圆,

在去除所述硅晶圆之后,形成自对准的介电贯通孔以贯穿所述多个介电层,其中,所述自对准的介电贯通孔停止在管芯堆叠件的接合焊盘上。

8.一种形成封装件的方法,包括:

形成多个介电层;

在所述多个介电层中的每个中形成多个再分布线;

在所述多个介电层中形成无源器件;

形成贯穿所述多个介电层的第一介电贯通孔和第二介电贯通孔;

在所述多个介电层上方形成介电层;

在所述介电层中形成多个接合焊盘并且电耦接至所述第一介电贯通孔、所述第二介电贯通孔、以及所述多个再分布线;以及

通过混合接合将第一器件管芯和第二器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘,其中,所述第一器件管芯和所述第二器件管芯通过所述多个再分布线电互连,以及所述第一器件管芯和所述第二器件管芯分别连接到所述第一介电贯通孔和所述第二介电贯通孔,

其中,所述多个介电层形成在玻璃载体上方;并且所述方法还包括:

脱粘所述玻璃载体;以及

在所述玻璃载体脱粘之后,形成自对准的介电贯通孔以贯穿所述多个介电层,其中,所述自对准的介电贯通孔停止在管芯堆叠件的接合焊盘上。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述多个再分布线使用镶嵌工艺形成。

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