[发明专利]半导体结构的布局、半导体装置及其形成方法有效
申请号: | 201711262227.3 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN109872993B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 张峰溢;童宇诚;李甫哲 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 布局 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的布局,其特征在于,该半导体结构的布局包含:
多个图案沿着一个第一方向排列并排成多列,各该图案之间彼此间隔,该多个图案在所述第一方向上彼此对齐排列,且该多列的该些图案排列成一个区域,该区域包含:
一个第一侧边,朝向该第一方向延伸;以及
一个第二侧边,朝向不同于该第一方向的一个第二方向延伸,并具有一锯齿状,其中,该第二侧边包含多个片段,各该片段包含两个或两个以上的该图案。
2.依据权利要求1所述的半导体结构的布局,其特征在于,相邻的两该片段分别朝向不同于该第一方向与该第二方向的两方向延伸,且该两方向彼此相交而不垂直。
3.依据权利要求1所述的半导体结构的布局,其特征在于,排列于奇数列的该些图案在该第二方向上相互对位排列。
4.依据权利要求1所述的半导体结构的布局,其特征在于,排列于偶数列的该些图案在该第二方向上相互对位排列。
5.依据权利要求1所述的半导体结构的布局,其特征在于,任两相邻列的该些图案在该第二方向上彼此错位排列。
6.依据权利要求1所述的半导体结构的布局,其特征在于,该区域还包含一个第三侧边,朝向该第二方向延伸,该第三侧边相对于该第二侧边且具有锯齿状。
7.依据权利要求6所述的半导体结构的布局,其特征在于,该第三侧边与该第二侧边不相互对称。
8.依据权利要求6所述的半导体结构的布局,其特征在于,该第三侧边与该第二侧边相互对称。
9.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包含:
一个基底,包含一个第一区域以及一个第二区域;以及
一个材料层,设置在该基底上,该材料层包含多个图案,且各该图案间彼此间隔,其中,该些图案在该第一区域内排列成至少二个锯齿状侧边,且各该锯齿状侧边包含多个片段,各该片段包含两个或两个以上的该图案。
10.依据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,该至少二个锯齿状侧边彼此对称。
11.依据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,该至少二个锯齿状侧边彼此不对称。
12.依据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,各该锯齿状侧边包含多个锯齿部,且各该锯齿部由任两相邻的该片段构成。
13.依据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,该两相邻的片段分别朝向不同的两方向延伸,且该两方向彼此相交而不相互垂直。
14.依据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,各该图案沿着一个第一方向排列并排成多列,其中,排列于奇数列的该些图案在不同于该第一方向的一个第二方向上相互对位。
15.依据权利要求14所述的半导体装置,其特征在于,排列于偶数列的该些图案在该第二方向上相互对位。
16.依据权利要求14所述的半导体装置,其特征在于,任两相邻列的该些图案在该第二方向上交错排列。
17.依据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,还包含:
多个位线设置在该基底上,位于该第一区域内,该些位线位于该材料层下;以及
多个插塞,设置在该基底上,位于该第一区域内,该些插塞与该些位线交替排列,且该些图案分别位于该些插塞上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的