[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种显示面板制作方法，包括以下的步骤：提供承载基板，所述承载基板包括多个功能区和位于所述功能区之间切割区；在所述承载基板上形成器件层，所述器件层包括TFT器件及包覆所述TFT器件的无机层，所述TFT器件位于所述功能区上，所述无机层覆盖所述功能区及所述切割区；去除所述切割区上的所述无机层，形成多个TFT器件区及位于所述TFT器件区之间的凹槽；沿所述凹槽切割所述承载基板，形成多个显示面板。本发明还提供了一种显示面板。本发明能够提高显示面板的生产良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体显示面板(Active-matrix organic light emittingdiode，简称AMOLED)，具有自发光的特性，视角广，色饱和度高，尤其是其驱动电压低且功耗低，以及反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为最具前途的显示产品之一。

在AMOLED显示面板的制造过程中，为了降低生产成本，在大的基板上制造多个显示面板，形成显示面板母板，然后将显示面板母板切割为各个显示面板单元。在AMOLED显示面板的切割工艺中，由于被切割的膜层大多由SiNx、SiOx等无机膜构成，而无机膜层厚，容易在切割工艺中产生应力堆积，从而在被切割的膜层中产生开裂或裂纹，裂纹扩散至AMOLED显示面板的封装区或外围走线区或显示区，都会导致AMOLED显示面板制作失败，降低AMOLED显示面板生产良率。

发明内容

本发明提供了一种显示面板及其制作方法，提高显示面板的生产良率。

本发明提供了一种显示面板制作方法，包括以下的步骤：

提供承载基板，所述承载基板包括多个功能区和位于所述功能区之间切割区；

在所述承载基板上形成器件层，所述器件层包括TFT器件及包覆所述TFT器件的无机层，所述TFT器件位于所述功能区上，所述无机层覆盖所述功能区及所述切割区；

去除所述切割区上的所述无机层，形成多个TFT器件区及位于所述TFT器件区之间的凹槽；

沿所述凹槽切割所述承载基板，形成多个显示面板。

其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区上的所述无机层。

其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽，所述沟槽沿所述凹槽延伸，所述沟槽用于阻挡所述凹槽处的切割应力。

其中，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺成型沟槽。

其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，包括

沉积有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层；

通过掩膜版曝光、显影工艺去除所述切割区上的所述有机层；

其中，在提供承载基板的步骤中，所述承载基板包括依次设于所述基板上第一有机膜、第一无机膜、第二有机膜和第二无机膜。

其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，部分或完全去除所述第二无机膜。

本发明提供了一种显示面板，包括承载基板及设于所述承载基板上的器件层，所述承载基板包括功能区和位于所述功能区周侧的切割区，所述器件层包括正对所述功能区的TFT器件区及正对所述切割区的挖空区。

其中，所述TFT器件区边缘处还包括沟槽，所述沟槽沿所述TFT器件区的边沿延伸，所述沟槽用于阻挡所述挖空区的切割应力。