[发明专利]显示面板及其制作方法在审
| 申请号： | 201711247587.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108022878A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 易士娟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/311;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：
提供承载基板，所述承载基板包括多个功能区和位于所述功能区之间切割区；
在所述承载基板上形成器件层，所述器件层包括TFT器件及包覆所述TFT器件的无机层，所述TFT器件位于所述功能区上，所述无机层覆盖所述功能区及所述切割区；
去除所述切割区上的所述无机层，形成多个TFT器件区及位于所述TFT器件区之间的凹槽；
沿所述凹槽切割所述承载基板，形成多个显示面板。
2.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区上的所述无机层。
3.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽，所述沟槽沿所述凹槽延伸，所述沟槽用于阻挡所述凹槽处的切割应力。
4.如权利要求3所述的显示面板制作方法，其特征在于，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺成型沟槽。
5.如权利要求3所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，包括
沉积有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层；
通过掩膜版曝光、显影工艺去除所述切割区上的所述有机层。
6.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在提供承载基板的步骤中，所述承载基板包括依次设于所述基板上第一有机膜、第一无机膜、第二有机膜和第二无机膜。
7.如权利要求6所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，部分或完全去除所述第二无机膜。
8.一种显示面板，其特征在于，包括承载基板及设于所述承载基板上的器件层，所述承载基板包括功能区和位于所述功能区周侧的切割区，所述器件层包括正对所述功能区的TFT器件区及正对所述切割区的挖空区。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述TFT器件区边缘处还包括沟槽，所述沟槽沿所述TFT器件区的边沿延伸，所述沟槽用于阻挡所述挖空区的切割应力。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括设于所述器件层上的有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711247587.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动终端来电提醒系统
- 下一篇：通过网站对接购买保险的方法、装置、设备及介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
