[发明专利]光电转换基板及其制作方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201711235241.4 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107968100A | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 秦云科;董学;李治福;王海生;吴俊纬;刘英明;贾亚楠;赵利军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/18;G06F3/042 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 黄灿,张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别是指一种光电转换基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
以TFT(薄膜晶体管)+光敏二极管为基本结构的光学传感器具有工艺简单、体积小等优点,其中光敏二极管的光电转换效率是决定整个光学传感器的性能的关键因素之一。
在光电二极管将可见光转换为电信号时,常常会有可见光的散射发生,导致可见光的吸收效率较低,进而影响了光学传感器的检测精度,为了提高光学传感器的检测精度,现有技术通过改进光敏材料来提高光电二极管对光线的吸收效率,但实现成本较高且效果甚微。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种光电转换基板及其制作方法、显示面板、显示装置,能够提高光电转换基板的检测精度。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种光电转换基板,包括位于衬底基板上的薄膜晶体管和光敏元件,所述光敏元件包括透光电极、信号输出电极和位于所述透光电极和所述信号输出电极之间的光敏层,所述透光电极用于使预定光线透过并照射到所述光敏层上,所述信号输出电极与所述薄膜晶体管连接,其中,所述光敏层为凹凸不平的。
进一步地,还包括:
位于所述衬底基板上的绝缘层,所述绝缘层的表面为凹凸不平的,所述光敏元件位于所述绝缘层上。
进一步地,所述绝缘层包括多个间隔设置的凸起部,所述光敏元件的至少一部分位于所述凸起部上。
进一步地,还包括:
覆盖所述光敏元件的平坦化层。
进一步地,还包括:
信号传输线,所述信号传输线与所述薄膜晶体管的第一极连接,所述信号输出电极与所述薄膜晶体管的第二极连接,其中,第一极为源电极和漏电极中的一者,第二极为源电极和漏电极中的另一者。
进一步地,
所述绝缘层覆盖所述薄膜晶体管,所述绝缘层包括对应所述薄膜晶体管的第二极的过孔,所述信号输出电极通过所述过孔与所述第二极连接;或
所述薄膜晶体管位于所述绝缘层上,所述薄膜晶体管的第二极复用为所述信号输出电极。
进一步地,所述预定光线包括可见光和红外光。
本发明实施例还提供了一种光电转换基板的制作方法,包括在衬底基板上形成薄膜晶体管和光敏元件,形成所述光敏元件包括:
依次在衬底基板上制备信号输出电极、凹凸不平的光敏层和透光电极,所述光敏层位于所述信号输出电极和所述透光电极之间,所述信号输出电极与所述薄膜晶体管连接。
进一步地,所述制作方法具体包括:
在所述衬底基板上形成一层绝缘材料,对所述绝缘材料进行构图,形成表面凹凸不平的绝缘层;
在所述绝缘层上形成所述光敏元件。
进一步地,所述制作方法还包括:
形成覆盖所述光敏元件的平坦化层。
本发明实施例还提供了一种显示面板,包括如上所述的光电转换基板。
进一步地,所述显示面板还包括:
彩膜基板和背光源,所述彩膜基板与所述光电转换基板对盒,所述背光源设置在所述光电转换基板的远离所述彩膜基板的一侧,用于为对盒的所述光电转换基板和所述彩膜基板提供背光;所述背光源包括预定光源,所述预定光源用于发射所述预定光线;所述彩膜基板包括黑矩阵,所述黑矩阵对应遮挡所述薄膜晶体管所在区域,所述黑矩阵包括对应所述光敏元件的开口。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示面板。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,光敏元件的光敏层为凹凸不平的,相比平整的光敏层,凹凸不平的光敏层能够增加光敏层的面积,使光敏元件的感光面积得到增加,提高光敏元件对光线的吸收效率,从而提升光敏元件的光敏特性,进而使得光电转换基板的检测精度得到提高。
附图说明
图1为本发明实施例在衬底基板上制作薄膜晶体管后的示意图;
图2为本发明实施例在衬底基板上制作凸起部后的示意图;
图3为本发明实施例在衬底基板上制作光敏元件后的示意图;
图4为本发明实施例在衬底基板上制作平坦化层后的示意图。
附图标记
1衬底基板
2栅绝缘层
3层间绝缘层
4栅电极
5有源层
6源电极
7漏电极
8凸起部
9信号输出电极
10 光敏层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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