[发明专利]一种显示设备、显示基板及其制作方法

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的一侧设置第一半导体氧化层；

在所述第一半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置第二半导体氧化层；

在所述第二半导体氧化层上形成源漏极金属层；

其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护第一半导体氧化层以使其不受损伤；

在所述第二半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置相互层叠的第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层，且所述第一蚀刻阻挡层位于所述第二蚀刻阻挡层和所述第二半导体氧化层之间；

其中，半导体有源层包括相互层叠的所述第一半导体氧化层与所述第二半导体氧化层，所述第一蚀刻阻挡层可防止所述半导体有源层的氧元素扩散至其外部，避免所述半导体有源层失氧；

其中，所述第一蚀刻阻挡层的材料为氮化钛，所述第二蚀刻阻挡层的材料为钛金属或钛合金。

2.一种显示基板，其特征在于，包括:

设于衬底基板一侧上的半导体有源层，所述半导体有源层包括相互层叠的第一半导体氧化层与第二半导体氧化层，且所述第一半导体氧化层位于所述第二半导体氧化层与所述衬底基板之间；

其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层以使其不受损伤；

在所述第二半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置相互层叠的第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层，且所述第一蚀刻阻挡层位于所述第二蚀刻阻挡层和所述第二半导体氧化层之间；

其中，所述第一蚀刻阻挡层可防止所述半导体有源层的氧元素扩散至其外部，避免所述半导体有源层失氧；

其中，所述第一蚀刻阻挡层的材料为氮化钛，所述第二蚀刻阻挡层的材料为钛金属或钛合金。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一半导体氧化层与所述第二半导体氧化层均为金属氧化层薄膜，且所述第一半导体氧化层的氧元素含量低于所述第二半导体氧化层的氧元素含量。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一半导体氧化层与所述第二半导体氧化层的厚度范围均为

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层的厚度范围为所述第二蚀刻阻挡层的厚度范围为

6.一种显示设备，其特征在于，其包括权利要求2-5任一项所述的显示基板。