[发明专利]晶圆的金属电镀装置在审
| 申请号： | 201711146018.2 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107955958A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 朱晓彤;吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 电镀 装置 | ||
1.一种晶圆的金属电镀装置，其特征在于，包括：
电镀容器，所述电镀容器用于容纳电镀液；
晶圆基座，所述晶圆基座设置于所述电镀容器的第一侧，所述晶圆基座用于固定晶圆的表面朝向所述电镀容器内部；
阳极电极，所述阳极电极位于所述电镀容器的第二侧，所述第一侧和第二侧相对设置；
高电阻虚拟阳极，位于所述电镀容器内且位于所述阳极电极与所述晶圆基座之间，其中，所述高电阻虚拟阳极在中心区域的单位面积阻值小于在边缘区域的单位面积阻值。
2.根据权利要求1所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，还包括：
阳离子膜，所述阳离子膜位于所述晶圆基座与所述阳极电极之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，
所述高电阻虚拟阳极在中心区域的厚度小于在边缘区域的厚度。
4.根据权利要求3所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，所述高电阻虚拟阳极的厚度从最外缘至中心逐渐降低。
5.根据权利要求3所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，
相比于所述高电阻虚拟阳极在边缘区域的厚度，所述高电阻虚拟阳极在中心区域的厚度降低的百分比为0.1％至20％。
6.根据权利要求1所述的晶圆的金属电镀装置，所述高电阻虚拟阳极具有多个穿通的孔洞，其特征在于，
所述高电阻虚拟阳极在中心区域的孔洞的孔径大于在边缘区域的孔洞的孔径。
7.根据权利要求6所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，所述高电阻虚拟阳极的孔洞的孔径从最外缘至中心逐渐增加。
8.根据权利要求6所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，
相比于所述边缘区域的孔洞的孔径，所述中心区域的孔洞的孔径增加的百分比为0.1％至20％。
9.根据权利要求1所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，
所述高电阻虚拟阳极的中心区域和边缘区域由不同材料制成，所述中心区域的材料的电阻率小于边缘区域的材料的电阻率。
10.根据权利要求1至9任一项所述的晶圆的金属电镀装置，其特征在于，还包括：外电源，所述外电源位于所述电镀容器外，且所述外电源的正极与所述阳极电极电连接，所述外电源的负极与所述晶圆基座电连接。
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