[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括：多个垂直导电结构，其中垂直导电结构中的每一个垂直导电结构延伸穿过一隔离层；以及一绝缘延长部，其水平设置于多个垂直导电结构中的一第一垂直导电结构和一第二垂直导电结构之间。

技术领域

本发明实施例是有关一种半导体装置；特别是关于一种包括绝缘延长部的半导体装置。

背景技术

半导体工业不断以较低的成本来追求较高的装置密度。半导体装置或集成电路(integrated circuit，IC)、材料、设计、以及制造制程的技术进步，已经产生越来越小的电路。在集成电路的发展过程中，功能密度(例如每一晶片区域中的互连装置的数量)逐渐地增加，而几何尺寸则逐渐地减小。这种缩减过程，通常通过提高生产效率和降低相关的成本来提供益处。

集成电路的一般制造方案包括两部分，前端制程(front end of line，FEOL)处理和后端制程(back end of line，BEOL)处理。通常，后端制程包含由金属和绝缘体制成的被动线性装置，例如信号和电源线、传输线、金属电阻器、金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容器、电感器、以及保险丝。后端制程可以包括以图案化多重金属化制程来连接在一起的多个装置。

这种缩小制程增加了处理和制造集成电路的复杂性。随着装置密度的增加和装置尺寸的减小，集成电路的后端制程处理期间可能会发生短路或串扰(cross talk)，从而导致产量的下降。

因此，传统的半导体装置制造和处理技术已无法完全满足现今的需求。

发明内容

一种半导体装置，包括：多个垂直导电结构，其中垂直导电结构中的每一个垂直导电结构延伸穿过一隔离层；以及一绝缘延长部，其水平设置于多个垂直导电结构中的一第一垂直导电结构和一第二垂直导电结构之间。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以更好地理解本揭露的各个方面。应注意，依据工业中的标凖实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。

图1A为根据某些实施例的具有导电延长部的半导体装置的立体图；

图1B为根据某些实施例的具有绝缘延长部的半导体装置的立体图；

图2A绘示根据某些实施例的具有条纹导电延长部的导电结构的示意图；

图2B绘示根据某些实施例的具有条纹绝缘延长部的导电结构的示意图；

图3绘示根据某些实施例的具有超过有效深度的绝缘延长部的梯形导电结构的示意图；

图4为根据某些实施例的使延长部绝缘的方法的流程图。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以用于实现所提供的标的物的不同的特征。下文描述组件和排列的特定实例，以简化本揭示内容。当然，此等仅仅为实例，并不旨在限制本揭示内容。举例而言，当称一元件“连接至”或“耦合至”另一元件，则可以是直接连接至或耦合至另一元件，或者于其间介入一个或多个中间元件。

另外，本揭示内容在各实例中可重复元件符号和/或字母。此重复是出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或构造之间的关系。

进一步地，空间相对用语，诸如“下方”、“以下”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者，在此用于简化描述附图所示的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除附图中描绘的方向外，空间相对用语旨在包含于使用或操作中的装置的不同方向。装置可为不同的方向(旋转90度或在其他的方向)，并且在此使用的空间相关描述词也可相应地被解释。