[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一III-V族半导体层，设置于该基板上，其中该第一III-V族半导体层包括多个鳍片结构，且该多个鳍片结构包括一顶表面、一第一侧壁以及相对于该第一侧壁的一第二侧壁；

一第二III-V族半导体层，设置于该第一III-V族半导体层上，其中该第一III-V族半导体层与该第二III-V族半导体层包括相异的材料，且该第二III-V族半导体层覆盖该多个鳍片结构的该顶表面、该第一侧壁以及该第二侧壁，以沿着该多个鳍片结构的该顶表面、该第一侧壁以及该第二侧壁形成一异质接合；

一栅极电极，设置于该第二III-V族半导体层上；以及

一源极/漏极电极，仅设置于该多个鳍片结构正上方且横跨该多个鳍片结构，其中该源极/漏极电极沿着该多个鳍片结构的排列方向延伸，且为对称于该栅极电极并横跨该多个鳍片结构的一对条状结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二III-V族半导体层共形地设置于该第一III-V族半导体层上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第一掺杂III-V族半导体层，设置于该第二III-V族半导体层与该栅极电极之间。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂III-V族半导体层共形地设置于该第二III-V族半导体层上。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂III-V族半导体层包括P型掺杂的III-V族半导体。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一III-V族半导体层包括GaN，该第二III-V族半导体层包括AlGaN，该第一掺杂III-V族半导体层包括P型掺杂的GaN。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一III-V族半导体层包括AlGaN，该第二III-V族半导体层包括GaN，该第一掺杂III-V族半导体层包括P型掺杂的GaN。

8.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第二掺杂III-V族半导体层，设置于该第一掺杂III-V族半导体层与该栅极电极之间。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂III-V族半导体层包括P型掺杂的III-V族半导体，该第二掺杂III-V族半导体层包括N型掺杂的III-V族半导体。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该第一III-V族半导体层包括AlGaN，该第二III-V族半导体层包括GaN，该第一掺杂III-V族半导体层包括P型掺杂的GaN，该第二掺杂III-V族半导体层包括N型掺杂的GaN。

11.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一第一III-V族半导体层于该基板上，其中该第一III-V族半导体层包括多个鳍片结构，且该多个鳍片结构包括一顶表面、一第一侧壁以及相对于该第一侧壁的一第二侧壁；

形成一第二III-V族半导体层于该第一III-V族半导体层上，其中该第一III-V族半导体层与该第二III-V族半导体层包括相异的材料，且该第二III-V族半导体层覆盖该多个鳍片结构的该顶表面、该第一侧壁以及该第二侧壁，以沿着该多个鳍片结构的该顶表面、该第一侧壁以及该第二侧壁形成一异质接合；

形成一栅极电极于该第二III-V族半导体层上；以及

形成一源极/漏极电极于该多个鳍片结构正上方且横跨该多个鳍片结构，其中该源极/漏极电极沿着该多个鳍片结构的排列方向延伸，且为对称于该栅极电极并横跨该多个鳍片结构的一对条状结构。