[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
申请号: | 201711135708.8 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN108389855A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 金世锺;文东泽;金元基 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/66;H01L21/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 马金霞;马翠平 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一基板 半导体封装件 第二装置 埋入部 装置安装部 第二基板 密封部 表面相对 第一装置 埋入 密封 制造 | ||
本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:装置埋入部,包括第一基板和第二基板,所述第一基板具有埋入在所述第一基板中的第一装置,所述第二基板设置在所述第一基板上;装置安装部,包括第二装置和密封部,所述第二装置设置在所述装置埋入部上,所述密封部用于密封所述第二装置;以及第二模块,安装在所述装置埋入部的与使所述装置安装部设置在其上的表面相对的表面上。
本申请要求于2017年2月3日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0015488号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种半导体封装件及其制造方法。
背景技术
为了以高速使用高质量、高容量数据,增大了半导体封装件的频带。例如,在用于无线通信的半导体封装件的情况下,可使用利用27GHz或更大的毫米波段的技术。
当使用毫米波段时,频率的波长被减小到毫米标准。因此,当使用传统的半导体封装结构时,可能会出现性能劣化。
因此,存在对于在上述高频带下能够有效运行的半导体封装件的需求。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍发明构思的选择,以下在具体实施方式中进一步描述发明构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面,一种半导体封装件包括:装置埋入部,包括第一基板和第二基板,所述第一基板具有埋入在所述第一基板中的第一装置,所述第二基板设置在所述第一基板上;装置安装部,包括第二装置和密封部,所述第二装置设置在所述装置埋入部上,所述密封部用于密封所述第二装置;以及第二模块,安装在所述装置埋入部的与所述装置安装部设置在其上的表面相对的表面上。
所述第一装置和所述第二装置可被布置为使得各自的有效表面彼此面对,并且所述第二基板位于所述第一装置和所述第二装置之间。
所述第一装置和所述第二装置可通过所述第二基板电连接。
所述第一装置可以是用于无线通信的前端模块(FEM)装置,以及所述第二装置是用于无线通信的信号处理装置。
所述半导体封装件还可包括散热构件,所述散热构件包括设置在所述第二装置的无效表面上的金属材料,所述散热构件的一个表面暴露到所述密封部的外部。
所述第二模块可包括:介电基板;辐射部,设置在所述介电基板的第一表面上;连接电极,设置在所述介电基板的与所述第一表面相对的第二表面中,并且通过导电结合构件结合到所述装置埋入部;以及层间连接导体,设置在所述介电基板中,并且电连接所述辐射部和所述连接电极。
所述装置安装部可包括设置在所述密封部中的连接导体,所述连接导体具有电连接到所述装置埋入部的一端和暴露到所述密封部的外部的另一端。
所述第二基板可包括在所述第一基板上交替地堆叠的一个或更多个绝缘层以及一个或更多个布线层,所述布线层形成第三装置。
所述第三装置可连接到使所述第一装置和所述第二装置电连接的路径,并且可用于所述第一装置和所述第二装置的阻抗匹配。
所述第三装置可包括电感器或电容器。
在另一总的方面,一种制造半导体封装件的方法包括:形成装置埋入部,在所述装置埋入部中,第一装置埋入在基板中;在所述装置埋入部的第一表面上安装第二装置;以及在所述装置埋入部的与所述第一表面相对的第二表面上安装天线模块。
安装所述第二装置的步骤可包括将所述第二装置安装为使得所述第一装置的有效表面与所述第二装置的有效表面彼此面对。
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