[发明专利]一种提高监控图形监控精度的方法

说明书

本发明提出一种提高监控图形监控精度的方法，包括下列步骤：对各芯片以及划片区进行标准冗余图形添加；计算监控芯片版图的平均图形及几何特征或芯片内监控区域的平均几何特征；获取各芯片排布坐标；获取监控图形中心坐标；将监控图形四周向X，Y扩展工艺影响半径，形成优化区域；分别计算出优化区域与周围芯片以及划片区的交叠区域；删除芯片与划片区交叠区域内按标准添加程序添加的冗余图形；以芯片内监控区域的平均几何型特征为目标值对芯片与划片区交叠区重新进行添加冗余图形。本发明是一种监控图形周围几何环境优化方法，可以缩小监控图形周围图形与芯片内部监控区域的几何特征差异，从而可以降低监控图形量测值与芯片内部监控区域的差异。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种提高监控图形监控精度的方法。

背景技术

先进的集成电路制造工艺一般都包含几百步的工序，任何环节的微小错误都将导致整个芯片的失效，特别是随着电路关键尺寸的不断缩小，其对工艺控制的要求就越严格。在现有半导体器件的制造工艺过程中，通常会对划片区域内监控图形的工艺监控参数(如线宽，厚度等)进行量测，从而在线监控芯片内部区域的工艺稳定性。因此监控图形的量测值能否正确有效的反应芯片内部的工艺加工状况，直接影响产品的良率。

在实际的产品加工过程中，由于监控图形受其周围区域几何环境的影响，导致其量测值随其周围区域几何环境的变化而产生变化。例如监控化学机械研磨工艺铜厚度的监控图形会因为其周围图形的密度、有效线宽以及周长的不同而不同。若监控图形周边环境几何环境与芯片内部区域差异较大，则会导致监控图形量测值与芯片内部监控区域产生较大差异，从而监控图形的量测值不能准确反映芯片内部的真实工艺状况，进而不能正确指导工艺的调整，最终影响产品的良率

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出一种提高监控图形监控精度的方法，其是一种监控图形周围几何环境优化方法，可以缩小监控图形周围图形与芯片内部监控区域的几何特征差异，从而可以降低监控图形量测值与芯片内部监控区域的差异。

为了达到上述目的，本发明提出一种提高监控图形监控精度的方法，包括下列步骤：

对各芯片以及划片区进行标准冗余图形添加；

计算监控芯片版图的平均图形及几何特征或芯片内监控区域的平均几何特征；

获取各芯片排布坐标；

获取监控图形中心坐标；

将监控图形四周向X，Y扩展工艺影响半径，形成优化区域；

分别计算出优化区域与周围芯片以及划片区的交叠区域；

删除芯片与划片区交叠区域内按标准添加程序添加的冗余图形；

以芯片内监控区域的平均几何型特征为目标值对芯片与划片区交叠区重新进行添加冗余图形。

进一步的，所述平均几何特征包括：平均图形密度、平均图形周长和平均图形权重线宽。

进一步的，所述监控图形包括关键尺寸监控图形、薄膜厚度监控图形。

进一步的，所述工艺影响半径为对目标区域产生不可忽略工艺影响的图形最大范围。

进一步的，所述芯片内图形监控区域与监控图形具有相同的几何特征，且监控区域远大于监控图形。

进一步的，所述再添加冗余图形，其几何特征的形状、大小以及间隔是可变的，依据目标监控区域的几何特征进行对应变化。

进一步的，所述再添加冗余图形与监控区域内几何特征满足如下关系：