[发明专利]一种提高监控图形监控精度的方法

权利要求书

1.一种提高监控图形监控精度的方法，其特征在于，包括下列步骤：

对各芯片以及划片区进行标准冗余图形添加；

计算监控芯片版图的平均几何特征或芯片内监控区域的平均几何特征；

获取各芯片的排布坐标；

获取监控图形的中心坐标；

以所述监控图形的中心坐标为基准，将所述监控图形四周向X，Y扩展工艺影响半径，形成优化区域；

分别计算出优化区域与周围芯片的交叠区域及优化区域与划片区的交叠区域；

删除优化区域与周围芯片的交叠区域及及优化区域与划片区的交叠区域内按标准添加程序添加的冗余图形；

以监控芯片版图的平均几何特征及芯片内监控区域的平均几何特征为目标值对优化区域与周围芯片的交叠区域及优化区域与划片区的交叠区域重新进行添加冗余图形；

其中，所述平均几何特征包括：平均图形密度、平均图形周长和平均图形权重线宽。

2.根据权利要求1所述的提高监控图形监控精度的方法，其特征在于，所述监控图形包括关键尺寸监控图形、薄膜厚度监控图形。

3.根据权利要求1所述的提高监控图形监控精度的方法，其特征在于，所述工艺影响半径为对目标区域产生不可忽略工艺影响的图形最大范围。

4.根据权利要求1所述的提高监控图形监控精度的方法，其特征在于，所述芯片内图形监控区域与监控图形具有相同的几何特征，且监控区域远大于监控图形。

5.根据权利要求1所述的提高监控图形监控精度的方法，其特征在于，以芯片内监控区域的平均几何特征为目标值对优化区域与周围芯片的交叠区域及优化区域与划片区的交叠区域重新进行添加冗余图形时，其几何特征的形状、大小以及间隔是可变的，依据目标监控区域的几何特征进行对应变化。

6.根据权利要求5所述的提高监控图形监控精度的方法，其特征在于，所述添加冗余图形与监控区域内几何特征满足如下关系：

密度：(Den_优化区域x(D₂-d₂)+Den_监控图形x d₂)/D₂＝Den_{芯片监控区域}，

周长：∑P_{i优化区域}+∑P_{j监控图形}＝∑P_{k芯片监控区域}，

权重线宽：∑LW_{i优化区域}x A_{i优化区域}+∑LW_{j监控图形}x A_{j监控图形}

＝∑LW_{k芯片监控区域}x A_{k芯片监控区域}，

其中Den_优化区域为优化区域冗余图形密度，D₂为优化区域大小，d₂为监控图形大小，Den_监控图形为监控图形密度，Den_{芯片监控区域}为芯片监控区域平均密度，P_{i优化区域}为优化区域内每个冗余图形的周长，P_{j监控图形}为监控图形每个图形周长，P_{k芯片监控区域}为芯片监控区域每个图形周长，LW_{i优化区域}为优化区内冗余图形第i个图形的线宽，A_{i优化区域}为优化区内冗余图形第i个图形的面积，LW_{j监控图形}为监控图形第j个图形的线宽，A_{j监控图形}为监控图形第j个图形的面积，LW_{k芯片监控区域}为芯片监控区域内第k个图形的线宽，A_{k芯片监控图形}为芯片监控区域内第k个图形的面积。