[发明专利]一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法

权利要求书

1.一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，提供一半导体结构，所述半导体结构包括一铝衬垫，所述铝衬垫的表面包括多个缺陷生成物；

提供一等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括一反应腔体，所述半导体结构放置于所述反应腔体内；

包括以下步骤：

步骤S1、于所述反应腔体内形成等离子体，通过所述等离子体轰击所述铝衬垫的表面，以去除所述铝衬垫表面的所述缺陷生成物；

步骤S2、于所述反应腔体内通入清洗气体，通过所述清洗气体对残留在所述铝衬垫表面的所述缺陷生成物进行清洗去除；

在所述步骤S2中，通入所述清洗气体对残留在所述铝衬垫的表面上的所述缺陷生成物进行去除的方法包括：

步骤S21、于所述反应腔体内通入所述清洗气体；

步骤S22、使所述反应腔体内形成一第二高压环境；

步骤S23、调节所述等离子体刻蚀设备的射频频率至一第二射频功率并维持一第二预定时间后结束。

2.根据权利要求1所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，形成所述等离子体对所述铝衬垫的表面进行轰击的方法包括：

步骤S11、于所述反应腔体内通入反应气体；

步骤S12、使所述反应腔体内形成一第一高压环境；

步骤S13、调节所述等离子体刻蚀设备的射频功率至第一射频功率；

步骤S14、所述反应气体在所述反应腔体内形成所述等离子体，以轰击所述铝衬垫的表面的缺陷生成物；

步骤S15、使所述等离子体轰击过程维持一第一预定时间后结束，并执行步骤S2。

3.根据权利要求2所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，通的所述反应气体包括，CF₄气体、CH₃气体、Ar气体；

其中，通入的所述CF₄气体的流量在60每分钟标准毫升；

通入的所述CH₃气体的流量在20每分钟标准毫升；

通入的所述Ar气体的流量在20每分钟标准毫升。

4.根据权利要求2所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，所述反应腔体内形成的所述第一高压环境的气压值为250兆帕。

5.根据权利要求2所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备包括一离子发生器，在所述S13中，使所述等离子体刻蚀设备形成所述第一射频功率的方法包括：

步骤S131、将所述离子发生器的射频电源的功率设置为一第一功率值，使所述离子发生器维持在高频状态；

步骤S132、将所述射频电源调整为一第二功率值，使所述离子发生器由所述高频状态转换为低频状态；

所述第一功率值小于所述第二功率值。

6.根据权利要求2所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，所述第一预定时间为180秒。

7.根据权利要求1所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，通入的所述清洗气体为氧气以及Ar气；

其中，通入的所述氧气的流量在1000每分钟标准毫升；

通入的所述Ar气的流量在100每分钟标准毫升。

8.根据权利要求1所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备包括一离子发生器，在所述步骤S22中，使所述等离子体刻蚀设备形成所述第二射频功率的方法包括：

将所述离子发生器的射频电源的功率设置为一第三功率值，使所述离子发生器维持在高频状态。

9.根据权利要求1所述的减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，所述第二预定时间为15秒和所述反应腔体内形成的所述第二高压环境的气压值为300兆帕。