[发明专利]一种磁性半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711063585.1 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107887098B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 靳常青;张俊;望贤成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/00 |
| 代理公司： | 11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种一维磁性半导体材料，其化学式为M9V3X15，其中，M为Ca、Sr和Ba中的一种或多种，V表示化学元素钒，以及X为硫族元素S、Se和Te中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的一维磁性半导体材料，其化学式为Ba9V3Se15或Ba9V3Te15。
3.一种根据权利要求1所述的一维磁性半导体材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：将金属M的颗粒和X的粉末按照化学计量比1:1混合，在真空或惰性气体环境中加热到400-800℃，保温5-80小时，得到MX粉末；
步骤二：将步骤一得到的MX粉末、V粉末、X粉末按照摩尔比3：1：2混合，然后通过压片机压成预定形状；
步骤三：将步骤二获得的具有预定形状的混合物置于压机中，使压力升至3-20GPa，温度升至1000℃-1500℃，然后保温40min-120min；以及
步骤四：将压机内温度降为室温，释放压力至大气压，得到样品M9V3X15。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤一中，还包括将金属M的颗粒和X的粉末的混合物置于陶瓷容器中，然后将所述陶瓷容器置于真空度Pa<10-3或填充有惰性气体的石英管中并密封，然后加热。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述陶瓷容器为陶瓷坩埚。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的制备方法，其中，在步骤一中，加热到700℃，保温20小时。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤二中，所述预定形状为圆柱形。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤三中，所述压机为六面顶压机或二级推进压机。
9.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤三中，压力以0.5-2GPa/min的速率上升，温度以100-400℃/min的速率上升。
10.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤四中，压机的卸压速率为0.3-1.0GPa/min，降温方式为自然冷却。
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