[发明专利]一种LED芯片及制作方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于衬底的晶圆定位边，且第一方向的折射率大于第二方向的折射率；在衬底上形成外延层结构；将形成完外延层结构的衬底转移至有机质支撑膜上；采用切割的方式，形成单个LED芯片，且LED芯片的长边平行于第一方向；采用封装碗杯对LED芯片进行封装，且在封装碗杯与LED芯片之间填充环氧树脂，其中，第一方向的折射率大于第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率，该LED芯片结构降低了光从芯片出射至外部的全反射，提高了LED芯片的外量子效率，解决了现有技术中存在的问题。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，更具体地说，尤其涉及一种LED芯片及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，发光二极管已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，为一种重要的固态照明装置。随着半导体材料的不断完善，半导体装置的效率也相应随之改善，新型的LED发光二极管例如InAlGaN允许从紫外光到黄色光谱中的有效照明。相比较常规的照明方式，LED发光二极管转换电能到光能的效率高，可靠性高，目前已被广泛应用在照明、显示和背光等领域中。

但是，目前的LED发光二极管存在外量子效率较低的问题，因此，如何提高LED发光二极管芯片的外量子效率已经成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种LED芯片及制作方法，提高了LED芯片的外量子效率，解决了现有技术中存在的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底，所述衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于所述衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于所述衬底的晶圆定位边，且所述第一方向的折射率大于所述第二方向的折射率；

在所述衬底上形成外延层结构；

将形成完所述外延层结构的衬底转移至有机质支撑膜上；

采用切割的方式，形成单个LED芯片，且所述LED芯片的长边平行于所述第一方向；

采用封装碗杯对所述LED芯片进行封装，且在所述封装碗杯与所述LED芯片之间填充环氧树脂，其中，所述第一方向的折射率大于所述第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率。

优选的，在上述制作方法中，所述衬底为蓝宝石衬底或方解石衬底或单晶钒酸钇衬底或氧化钛衬底或碳酸钙衬底或铌酸锂衬底。

优选的，在上述制作方法中，所述有机质支撑膜为聚酰亚胺有机质支撑膜或聚乙烯有机质支撑膜或聚丙烯有机质支撑膜。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述衬底上形成外延层结构包括：

在第三方向上，在所述衬底的表面依次生长第一型半导体层、量子阱发光层以及第二型半导体层；其中，所述第三方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

刻蚀去除部分第二型半导体层以及部分量子阱发光层，直至暴露出所述第一型半导体层，形成第一电极凹槽；

在未刻蚀的第二型半导体层上生长透明导电层；

刻蚀去除部分所述透明导电层，直至暴露出所述第二型半导体层，形成第二电极凹槽；

蒸镀第一电极结构以及第二电极结构，其中，所述第一电极结构通过所述第一电极凹槽与所述第一型半导体层欧姆接触，所述第二电极结构通过所述第二电极凹槽与所述第二型半导体层欧姆接触；