[发明专利]一种LED芯片及制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，所述衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于所述衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于所述衬底的晶圆定位边，且所述第一方向的折射率大于所述第二方向的折射率；

在所述衬底上形成外延层结构；

将形成完所述外延层结构的衬底转移至有机质支撑膜上；

采用切割的方式，形成单个LED芯片，且所述LED芯片的长边平行于所述第一方向；

采用封装碗杯对所述LED芯片进行封装，且在所述封装碗杯与所述LED芯片之间填充环氧树脂，其中，所述第一方向的折射率大于所述第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或方解石衬底或单晶钒酸钇衬底或氧化钛衬底或碳酸钙衬底或铌酸锂衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有机质支撑膜为聚酰亚胺有机质支撑膜或聚乙烯有机质支撑膜或聚丙烯有机质支撑膜。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成外延层结构包括：

在第三方向上，在所述衬底的表面依次生长第一型半导体层、量子阱发光层以及第二型半导体层；其中，所述第三方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

刻蚀去除部分第二型半导体层以及部分量子阱发光层，直至暴露出所述第一型半导体层，形成第一电极凹槽；

在未刻蚀的第二型半导体层上生长透明导电层；

刻蚀去除部分所述透明导电层，直至暴露出所述第二型半导体层，形成第二电极凹槽；

蒸镀第一电极结构以及第二电极结构，其中，所述第一电极结构通过所述第一电极凹槽与所述第一型半导体层欧姆接触，所述第二电极结构通过所述第二电极凹槽与所述第二型半导体层欧姆接触；

在所述外延层结构背离所述衬底的表面上形成钝化层；

在所述第一电极结构以及第二电极结构相对应的上方，通过刻蚀所述钝化层形成预设大小的电极窗口；

对所述衬底进行减薄处理。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电层为ITO透明导电层或IZO透明导电层。

7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极结构和所述第二电极结构的材料相同。

8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层为SiO₂钝化层或Si₃N₄钝化层或Al₂O₃钝化层。

9.一种LED芯片，其特征在于，用上述权利要求1-8任一项所述的制作方法形成，所述LED芯片包括：

衬底，所述衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于所述衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于所述衬底的晶圆定位边，且所述第一方向的折射率大于所述第二方向的折射率；

设置在所述衬底上的外延层结构；

设置在所述衬底背离所述外延层结构一侧的有机质支撑膜；

对所述LED进行封装的封装碗杯，及填充在所述封装碗杯与所述LED芯片之间的环氧树脂，其中，所述第一方向的折射率大于所述第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率。

10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层结构包括：

在第三方向上，依次设置在所述衬底的表面的第一型半导体层、量子阱发光层以及第二型半导体层；其中，所述第三方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

设置在所述外延层结构上的第一电极凹槽；

设置在所述第二型半导体层上的透明导电层，所述透明导电层设置有第二电极凹槽；

通过所述第一电极凹槽与所述第一型半导体层欧姆接触的第一电极结构，以及通过所述第二电极凹槽与所述第二型半导体层欧姆接触的第二电极结构；

设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的钝化层；

设置在所述钝化层上的电极窗口，所述电极窗口与所述第一电极结构以及所述第二电极结构相对应设置。