[发明专利]一种彩膜基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201711021454.7 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107845662B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩膜基板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:衬底基板以及设置在衬底基板上的彩膜图形,平坦层和黑矩阵,其中,相邻的彩膜图形之间的平坦层上开设有过孔,所述黑矩阵至少设置于所述过孔内;
还包括:
隔垫物,所述隔垫物设置于所述黑矩阵上;
阴极辅助电极,设置于所述黑矩阵上,所述阴极辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影区域内;以及
透明导电连接层,覆盖所述隔垫物、所述阴极辅助电极、所述黑矩阵和所述平坦层。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述黑矩阵部分设置于所述过孔内,部分设置于所述平坦层上。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,位于相邻的两彩膜图形之间的黑矩阵在所述衬底基板上的正投影与所述相邻的两彩膜图形在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
4.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述隔垫物在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影区域内。
5.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,用于形成如权利要求1-4任一项所述的彩膜基板,所述制作方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成彩膜图形,平坦层和黑矩阵,其中,相邻的彩膜图形之间的平坦层上形成有过孔,所述黑矩阵至少设置于所述过孔内;
在所述黑矩阵上形成阴极辅助电极,所述阴极辅助电极在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影区域内;
在所述黑矩阵上形成隔垫物,所述隔垫物在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影区域内;
形成覆盖所述隔垫物、所述阴极辅助电极、所述黑矩阵和所述平坦层的透明导电连接层。
6.根据权利要求5所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上形成彩膜图形,平坦层和黑矩阵的步骤包括:
在所述衬底基板上形成彩膜图形;
在所述彩膜图形上形成平坦层,其中,位于相邻的彩膜图形之间的平坦层上形成有过孔;
形成黑矩阵,所述黑矩阵至少设置于所述过孔内。
7.一种显示装置,其特征在于,包括阵列基板和彩膜基板,所述彩膜基板为如权利要求1-4任一项所述的彩膜基板。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述阵列基板为白光OLED阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的