[发明专利]梳状凸块结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种梳状凸块结构及其制造方法，梳状凸块结构包含：半导体基板；焊垫设置于半导体基板之上；导电层设置于焊垫于之上；焊锡凸块设置于导电层之上；以及至少两个金属侧壁，分别沿焊锡凸块的相对两侧设置，从而提升结合强度。

技术领域

本发明是有关于梳状凸块结构及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于大量电子设备，例如计算机，蜂窝电话等。半导体器件包括通过在半导体晶片上沉积许多类型的材料薄膜而形成在半导体晶片上的集成电路(IC)，以及图案化材料薄膜以形成集成电路。

再分配层(RDL)过程是采用原始设计的IC的I/O焊垫，并使用晶片级金属布线处理和触碰处理来改变IC的接触点位置。形成凸块(Bumping)是先进的晶片级工艺技术，其中在将晶片切割成单个芯片之前，以整个晶片形式在晶片上形成由焊料制成的“凸块”或“球”。

如今，低成本RDL/Bumping解决方案普遍加工，但不能处理细间距产品。钝化后的聚亚酰胺(PI)下面的PI可以是良好的缓冲层，但是PI的弱点对于其他钝化本身或金属的粘合强度低。因此，当处理不正确地控制时，PI有时会很容易地从晶片剥离。

发明内容

本发明提出一种创新的梳状凸块结构及其制造方法，以解决先前技术的困境，从而提升结合强度。

在本发明的一实施例中，一种梳状凸块结构包含：半导体基板；焊垫设置于半导体基板之上；导电层设置于焊垫之上；焊锡凸块设置于导电层之上；以及至少两个金属侧壁，分别沿焊锡凸块的相对两侧设置。

在本发明的一实施例中，梳状凸块结构更包含：钝化层，设置于半导体基板之上，钝化层具有开口以部分暴露焊垫，且导电层连接于焊垫以及钝化层。

在本发明的一实施例中，金属侧壁垂直设置在导电层上。

在本发明的一实施例中，任一个金属侧壁的顶部高于焊锡凸块的顶部。

在本发明的一实施例中，梳状凸块结构还包含：多个金属针脚，设置在焊锡凸块中，并从导电层突出。

在本发明的一实施例中，任一个金属针脚的顶部高于焊锡凸块的顶部。

在本发明的一实施例中，任一个金属针脚的顶部低于任一个金属侧壁的顶部。

在本发明的一实施例中，金属侧壁的熔点温度高于金属针脚的熔点温度。

在本发明的一实施例中，导电层包含凸块下金属层。

在本发明的另一实施例中，一种梳状凸块结构包含：第一半导体基板；第一焊垫，设置于第一半导体基板之上；第一导电层设置于第一焊垫之上；第一焊锡凸块设置于第一导电层之上；至少两个第一金属侧壁分别沿第一焊锡凸块的相对两侧设置；第二半导体基板；第二焊垫设置于第二半导体基板之上；第二导电层设置于第二焊垫之上；第二焊锡凸块设置于第二导电层之上；以及至少两个第二金属侧壁，分别沿第二焊锡凸块的相对两侧设置，当第一、第二焊锡凸块相结合且执行回焊工艺时，第二焊锡凸块与第一焊锡凸块用于形成焊点。

在本发明的另一实施例中，至少两个第一金属侧壁中的一个位于焊点中，并位于至少两个第二金属侧壁之间。

在本发明的另一实施例中，至少两个第二金属侧壁中的一个位于焊点中，并位于至少两个第一金属侧壁之间。

在本发明的另一实施例中，至少两个第一金属侧壁位于焊点中的那个与至少两个第二金属侧壁中位于焊点中的那个的熔点温度低于至少两个第一金属侧壁中的另一个与至少两个第二金属侧壁中的另一个的熔点温度。

在本发明的另一实施例中，梳状凸块结构还包含：多个第一金属针脚，设置于第一焊锡凸块中，并从第一导电层突出；以及