[发明专利]LELE双重图形工艺方法

说明书

本发明揭示了一种LELE双重图形工艺方法，所述LELE双重图形工艺方法包括：提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力；对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述多个子图形分为两组子图形；将每一组子图形分别制作成一个掩膜版；以及分别以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀。由此，通过两次分解，既满足了光刻机的曝光承受能力，又避免子图形之间的相互影响而造成的OPC异常，从而进行曝光时，能够改善图形失真的情况，使得光刻图形更贴近设计图形，可以提高光刻质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LELE双重图形工艺方法。

背景技术

随着电路集成度的提高和规模的增大，电路中的单元器件尺寸不断缩小，对集成电路制造工艺的要求不断提高，例如关键尺寸持续减小，芯片制造对光刻分辨率要求越来越高。

对于28nm节点以下的设计，采用193nm的浸没式单次曝光技术已经无法满足要求，而极紫外(EUV)光刻技术仍存在很多问题。因此，想要继续使用ArF(氟化氩)光源进行曝光，只能够使用双重甚至多重图形技术来完成光刻图形的转移。以双重图形技术(DPT)为例，主要包括两类，一类是曝光-刻蚀-曝光-刻蚀(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)，即将设计图形分解成两套独立的低密度图形，通过两次曝光两次刻蚀，将电路转移至晶圆上；另一类是自对准双重曝光技术(SADP)，但是对于图形多二维设计的逻辑版图，SADP并不适用，只能够采用LELE方式。

但是，LELE方式中对设计图形的分解有一定的要求，分解后很容易导致OPC(光学临近修正)异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LELE双重图形工艺方法，改善图形分解时导致的OPC异常的情况，提高曝光质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种LELE双重图形工艺方法，包括：

提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；

对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力；

对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述设计图形的子图形分为两组子图形；

根据每一组子图形分别制作成掩膜版；以及

先后以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀，以将所述设计图形转印至晶圆。

可选的，对于所述的LELE双重图形工艺方法，对所述设计图形进行第一次分解的步骤包括：

在所述设计图形中需要分解的子图形之间引入第一分解标记。

可选的，对于所述的LELE双重图形工艺方法，对所述设计图形进行第二次分解的步骤包括：

在第一次分解后的所述设计图形中影响OPC异常的相邻子图形之间引入第二分解标记；

移除妨碍所述多个子图形分解为两组的第二分解标记；以及

以所述第一分解标记和剩余的第二分解标记为基础将所述多个子图形分为两组子图形。

可选的，对于所述的LELE双重图形工艺方法，所述第一分解标记和第二分解标记皆包括带信息的图形结构和/或不带信息的图形结构。

可选的，对于所述的LELE双重图形工艺方法，所述不带信息的图形结构包括连线。

可选的，对于所述的LELE双重图形工艺方法，所述连线连接相邻子图形的中心。