[发明专利]LELE双重图形工艺方法

权利要求书

1.一种LELE双重图形工艺方法，其特征在于，包括：

提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；

对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力，其中对所述设计图形进行第一次分解的步骤包括：在所述设计图形中需要分解的子图形之间引入第一分解标记；

对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述设计图形的子图形分为两组子图形，其中对所述设计图形进行第二次分解的步骤包括：在第一次分解后的所述设计图形中影响OPC异常的相邻子图形之间引入第二分解标记；移除妨碍所述多个子图形分解为两组的第二分解标记；以及以所述第一分解标记和剩余的第二分解标记为基础将所述多个子图形分为两组子图形；

根据每一组子图形分别制作成掩膜版；以及

先后以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀，以将所述设计图形转印至晶圆。

2.如权利要求1所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，所述第一分解标记和第二分解标记皆包括带信息的图形结构和/或不带信息的图形结构。

3.如权利要求2所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，所述不带信息的图形结构包括连线。

4.如权利要求3所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，所述连线连接相邻子图形的中心。

5.如权利要求2所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，第一分解标记和第二分解标记采用不同的图形结构。

6.如权利要求1所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，所述第一次分解针对间距小于设定值的相邻子图形。

7.如权利要求6所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，所述设定值的表达式为2Kλ/NA，其中，K为光刻工艺因子，λ为光刻曝光波长，NA为光刻机的数值孔径。

8.如权利要求1所述的LELE双重图形工艺方法，其特征在于，将每一组子图形分别制作成一个掩膜版的步骤包括：对每一组子图形进行OPC修正。