[发明专利]二次图形的形成方法

权利要求书

1.一种二次图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有第一硬掩膜层，第一硬掩膜层表面形成有第二硬掩膜层；

图形化所述第二硬掩膜层，在所述第一硬掩膜层表面形成若干分立的第一图形；

形成覆盖所述第一图形和第一硬掩膜层表面的光刻胶层，所述光刻胶层中包括光致产酸剂；

对所述第一图形之间的光刻胶层进行第一曝光，被曝光的光刻胶层中的光致产酸剂产生酸；

进行负显影工艺，去除未曝光的光刻胶层，在相邻的第一图形之间形成第二图形；

以所述第二图形和第一图形为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层。

2.如权利要求1所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述被曝光部分的光刻胶为亲水且不溶于负显影工艺时采用的显影液，未曝光的部分光刻胶为不亲水且溶于负显影工艺时采用的显影液。

3.如权利要求2所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述第一曝光的能量为10～20mj/cm²，所述负显影工艺采用的显影液为乙酸正丁酯、二醇醚或芳径。

4.如权利要求1所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述对第一图形之间的光刻胶层进行第一曝光采用第一光掩膜板，所述第一光掩膜板具有与若干第二图形对应的若干第一开口。

5.如权利要求1所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述通过显影去除未曝光的光刻胶层步骤之前，还包括：对所述第一图形顶部表面的光刻胶层进行第二曝光。

6.如权利要求5所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述对所述第一图形顶部表面的光刻胶层进行第二曝光采用第二光掩模板，所述第二光掩模板中具有与第一图形对应的若干第二开口。

7.如权利要求5所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述第二曝光的光刻胶层的尺寸与第一图形的尺寸对应。

8.如权利要求5所述的二次图形的形成方法，其特征在于，所述进行第一曝光和第二曝光后，通过负显影工艺去除未曝光的光刻胶层，在相邻的第一图形之间形成第二图形，在第一图形顶部表面形成第三图形。

9.如权利要求8所述的二次图形的形成方法，其特征在于，以所述第一图形、第三图形和第二图形为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层。

10.如权利要求1所述的二次图形的形成方法，其特征在于，图形化所述第二硬掩膜层的过程包括：在所述第二掩膜层表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有暴露出第二掩膜层表面若干开口；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层，在第一掩膜层表面形成若干分立的第一图形；去除所述图形化的光刻胶层。