[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括若干非器件区，相邻非器件区之间的基底上具有中间鳍部结构和位于中间鳍部结构周围的边缘鳍部；

在所述边缘鳍部的侧壁形成第一阻挡层，所述第一阻挡层的厚度为：1.5纳米～6纳米；

在所述基底和边缘鳍部顶部、中间鳍部结构的侧壁和顶部表面以及第一阻挡层的侧壁形成隔离材料层，所述隔离材料层的密度小于第一阻挡层的密度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层还覆盖边缘鳍部的顶部表面和非器件区基底；第一阻挡层的形成步骤包括：在所述基底上形成第一阻挡膜，所述第一阻挡膜覆盖边缘鳍部的侧壁和顶部表面、以及中间鳍部结构的侧壁和顶部表面；去除相邻非器件区之间基底上、以及中间鳍部结构的侧壁和顶部表面的第一阻挡膜，在所述非器件区基底上、以及边缘鳍部的侧壁和顶部表面形成第一阻挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡膜的材料包括氧化硅或者氮化硅；所述第一阻挡膜的形成工艺包括：原子层沉积工艺或者高密度等离子化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非器件区沿垂直于边缘鳍部侧壁方向上具有第一尺寸，所述边缘鳍部到中间鳍部结构侧壁具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于第一尺寸。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸大于56纳米。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二尺寸为：32纳米～40纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述边缘鳍部沿垂直于边缘鳍部侧壁方向上的尺寸为：6纳米～10纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离材料层的材料包括：氧化硅；所述隔离材料层的形成工艺包括：流体化学气相沉积工艺，所述流体化学气相沉积工艺的参数包括：温度为30摄氏度～90摄氏度，硅前驱体包括N(SiH₃)₃，氧前驱体包括O₂，氧前驱体的流量为20标准毫升/分钟～10000标准毫升/分钟，压强为0.01托～10托。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层之后，形成所述隔离材料层之前，所述形成方法还包括：在所述基底上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖边缘鳍部的侧壁和顶部表面、以及中间鳍部结构的侧壁和顶部表面。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者非晶硅。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为：2纳米～8纳米。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离材料层之后，所述形成方法还包括：去除部分隔离材料层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于边缘鳍部和中间鳍部结构的顶部表面，且覆盖第一阻挡层的部分侧壁；形成所述隔离层之后，去除边缘鳍部侧壁被暴露出的第一阻挡层；去除边缘鳍部侧壁被暴露出的第一阻挡层之后，形成横跨边缘鳍部和中间鳍部结构的栅极结构；在栅极结构两侧的边缘鳍部和中间鳍部结构内分别形成源漏掺杂区。