[发明专利]一种重新布线层结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明属于集成电路封装领域，涉及一种重新布线层结构及其制作方法。

背景技术

半导体工业通过持续减小最小特征尺寸来继续提高各种各样电子元件的整合密度，使得在给定的面积下可以集成更多的电子元件。目前，最先进的封装解决方案包括晶圆级芯片尺寸封装(Wafer level chip-scale package)、扇出型晶圆级封装(Fan-out wafer level package)倒装芯片(Flip chip)以及堆叠型封装(Package on Package，POP)等等。其中，各封装结构中均可能用到重新布线层(Redistribution Layers，RDL)。重新布线层(Redistribution Layers，RDL)是倒装芯片组件中芯片与封装之间的接口界面。

重新布线层(RDL)的目的是对芯片的铝焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。常见的重新布线层材料是电镀铜(plated Cu)辅以打底的钛、铜溅射层(Sputtered Ti/Cu)。

现有技术中，重新布线层结构的制作通常需要涂布两层聚合物薄膜。如图1所示，首先在设有芯片焊盘102的圆片101表面涂布第一层聚合物薄膜103，以加强芯片的钝化层，起到应力缓冲的作用；然后基于第一层聚合物薄膜103制作重新布线层104；接着涂布第二层聚合物薄膜105，使圆片表面平坦化并保护重新布线层104，并对第二层聚合物薄膜105进行光刻工艺，开出新焊区的位置；再在新焊区位置制作凸块下金属层106(Under Bump Metalization，简称UBM)，其制作工艺与重新布线层的制作工艺大致相同；最后在凸块下金属层106上进行植球并进行回流工艺，焊料球107经回流融化与凸块下金属层形成良好的浸润结合。

上述重新布线层结构的制作过程由于需要制作两层聚合物薄膜，并需要制作凸块下金属层，从而增加了制造成本。

因此，如何提供一种新的重新布线结构及其制作方法，以简化工艺并降低制造成本，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种重新布线层结构及其制作方法，用于解决现有技术中重新布线结构制作工艺复杂，成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种重新布线层结构，包括：

基板，所述基板表面设有若干导电焊盘；

一聚合物层，形成于所述基板表面；

若干通孔，形成于所述聚合物层中，并暴露出所述导电焊盘；

重新布线层，形成于所述聚合物层表面，并覆盖所述通孔的侧壁与底部，与所述导电焊盘之间形成电性连接；

凹槽，形成于所述重新布线层表面预设位置。

可选地，所述重新布线层包括一层金属线路，所述凹槽从所述金属线路顶面开口，但未贯穿所述金属线路的底面。

可选地，所述重新布线层包括至少两层金属线路，相邻两层金属线路之间设有介质层，所述凹槽从顶层金属线路的顶面开口，但未贯穿顶层金属线路的底面。

可选地，所述重新布线层表面装设有至少一个带有导电凸块的裸片，所述导电凸块与所述凹槽底部电性连接。

可选地，所述凹槽底部电性连接有焊料凸块，所述焊料凸块包括金属柱及连接于所述导电柱上方的焊球，或者所述焊料凸块仅包括焊球。

本发明还提供一种重新布线层结构的制作方法，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板表面设有若干导电焊盘；

于所述基板表面形成一聚合物层，并在所述聚合物层中形成若干暴露出所述导电焊盘的通孔；

于所述聚合物层表面形成重新布线层，所述重新布线层覆盖所述通孔的侧壁与底部，与所述导电焊盘之间形成电性连接；

采用激光在所述重新布线层表面预设位置形成凹槽。

可选地，所述重新布线层包括一层金属线路，所述凹槽从所述金属线路顶面开口，但未贯穿所述金属线路的底面。

可选地，所述重新布线层包括至少两层金属线路，相邻两层金属线路之间设有介质层，所述凹槽从顶层金属线路的顶面开口，但未贯穿顶层金属线路的底面。

可选地，所述金属线路的材料包含铜、铝、钛中的任意一种。

可选地，形成所述凹槽之后，还包括如下步骤：提供至少一个带有导电凸块的裸片，将所述裸片装设于所述重新布线层表面，其中，所述导电凸块与所述凹槽底部电性连接。