[发明专利]一种重新布线层结构及其制作方法在审
| 申请号: | 201710945346.2 | 申请日: | 2017-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN107731691A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
| 发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 刘星 |
| 地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 重新 布线 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种重新布线层结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板表面设有若干导电焊盘;
一聚合物层,形成于所述基板表面;
若干通孔,形成于所述聚合物层中,并暴露出所述导电焊盘;
重新布线层,形成于所述聚合物层表面,并覆盖所述通孔的侧壁与底部,与所述导电焊盘之间形成电性连接;
凹槽,形成于所述重新布线层表面预设位置。
2.根据权利要求1所述的重新布线层结构,其特征在于:所述重新布线层包括一层金属线路,所述凹槽从所述金属线路顶面开口,但未贯穿所述金属线路的底面。
3.根据权利要求1所述的重新布线层结构,其特征在于:所述重新布线层包括至少两层金属线路,相邻两层金属线路之间设有介质层,所述凹槽从顶层金属线路的顶面开口,但未贯穿顶层金属线路的底面。
4.根据权利要求1所述的重新布线层结构,其特征在于:所述重新布线层表面装设有至少一个带有导电凸块的裸片,所述导电凸块与所述凹槽底部电性连接。
5.根据权利要求1所述的重新布线层结构,其特征在于:所述凹槽底部电性连接有焊料凸块,所述焊料凸块包括导电柱及连接于所述导电柱上方的焊球,或者所述焊料凸块仅包括焊球。
6.一种重新布线层结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,所述基板表面设有若干导电焊盘;
于所述基板表面形成一聚合物层,并在所述聚合物层中形成若干暴露出所述导电焊盘的通孔;
于所述聚合物层表面形成重新布线层,所述重新布线层覆盖所述通孔的侧壁与底部,与所述导电焊盘之间形成电性连接;
采用激光在所述重新布线层表面预设位置形成凹槽。
7.根据权利要求6所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述重新布线层包括一层金属线路,所述凹槽从所述金属线路顶面开口,但未贯穿所述金属线路的底面。
8.根据权利要求6所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述重新布线层包括至少两层金属线路,相邻两层金属线路之间设有介质层,所述凹槽从顶层金属线路的顶面开口,但未贯穿顶层金属线路的底面。
9.根据权利要求7或8所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述金属线路的材料包含铜、铝、钛中的任意一种。
10.根据权利要求6-8任意一项所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:形成所述凹槽之后,还包括如下步骤:提供至少一个带有导电凸块的裸片,将所述裸片装设于所述重新布线层表面,其中,所述导电凸块与所述凹槽底部电性连接。
11.根据权利要求6-8任意一项所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:形成所述凹槽之后,还包括如下步骤:形成与所述凹槽底部电性连接的焊料凸块。
12.根据权利要求11所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述焊料凸块包括导电柱及连接于所述导电柱上方的焊球,或者所述焊料凸块仅包括焊球。
13.根据权利要求6-8任意一项所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述激光的波长范围是193nm~532nm。
14.根据权利要求6-8任意一项所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述聚合物层的材料包含聚酰亚胺及聚苯并恶唑中的任意一种。
15.根据权利要求14所述的重新布线层结构的制作方法,其特征在于:所述聚合物层的材料包含光敏性聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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