[发明专利]柔性OLED面板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性OLED面板的制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高OLED器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。

目前OLED器件的封装主要在硬质封装基板(如玻璃或金属)上通过封装胶封装，但是该方法并不适用于柔性器件，而柔性OLED显示器是未来显示行业发展的必然趋势，因此，也有技术方案通过叠层的薄膜对OLED器件进行封装，该薄膜封装方式一般是在基板上的OLED器件上方形成两层为无机材料的阻水性好的阻挡层(Barrier Layer)，在两层阻挡层之间形成一层为有机材料的柔韧性好的缓冲层(Buffer Layer)。目前这种封装技术已经较为成熟，取得了很好的封装效果并应用在了相关产品当中。

柔性OLED显示器是采用柔性基板(Flexible Substrate)制成的可弯曲显示设备，通常采用柔性聚酰亚胺(Polyimide，PI)基板，其中柔性PI基板是通过在普通的玻璃基板上涂布一层PI膜所形成，在OLED器件制作完成后，再采用激光将柔性PI基板从玻璃基板上剥离下来，然而现有制程忽视了玻璃基板透光率的影响，而采用一般的玻璃基板，其激光的穿透率仅为90％左右，因此在进行激光剥离时需要使用很高的能量(460-500mj)才能使柔性PI基板脱离玻璃基板，而高能量的激光会严重损伤到柔性PI基板和其上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件，影响TFT器件的电性，造成良率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种柔性OLED面板的制作方法，使用较低的能量就可以使柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来，不会影响到柔性衬底基板和TFT层的性能，可以得到正常的TFT电性，从而大幅度改善产品良率。

为实现上述目的，本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供玻璃基板，在所述玻璃基板上形成柔性衬底基板，在所述柔性衬底基板上形成TFT层，在所述TFT层上形成OLED层；

步骤S2、采用激光对柔性衬底基板进行激光剥离，使所述柔性衬底基板从玻璃基板上剥离下来；

所述玻璃基板对所述步骤S2中所采用的激光的透过率为96％以上。

所述步骤S1中所形成的柔性衬底基板为聚酰亚胺基板，其具体形成过程为：在所述玻璃基板上涂布一层聚酰亚胺材料，对其进行烘烤，得到聚酰亚胺材料的柔性衬底基板。

所述步骤S2中所采用的激光的波长为308nm。

所述步骤S2中所使用的激光的能量为400-430mj。

所述步骤S1中所形成的TFT层用于对所述OLED层进行驱动，包括多个阵列排布的TFT器件，所述TFT器件为低温多晶硅型、或者金属氧化物型。

所述步骤S1中所形成的OLED层包括设于所述TFT层上的第一电极层、设于所述TFT层和第一电极层上的像素定义层、设于第一电极层上的有机功能层、以及设于像素定义层和有机功能层上的第二电极层；

所述像素定义层在第一电极层上围出多个阵列排布的像素开口；所述有机功能层设于所述像素开口内；每一像素开口内的有机功能层、其下方对应的第一电极层、以及其上方对应的第二电极层共同构成一OLED器件。

所述步骤S1中形成OLED层的具体过程为：在所述TFT层上形成第一电极层，在所述TFT层及第一电极层上形成像素定义层，在所述像素定义层的多个像素开口内形成有机功能层，在所述像素定义层及有机功能层上形成第二电极层。

所述步骤S1中形成OLED层中，所述第一电极层、第二电极层分别用作OLED器件的阳极和阴极，所述第一电极层为氧化铟锡层/银层/氧化铟锡层的叠层材料。

所述有机功能层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。