[发明专利]柔性OLED面板的制作方法在审
申请号: | 201710824009.8 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107644891A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56;H01L21/78;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 面板 制作方法 | ||
1.一种柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供玻璃基板(500),在所述玻璃基板(500)上形成柔性衬底基板(110),在所述柔性衬底基板(110)上形成TFT层(120),在所述TFT层(120)上形成OLED层(130);
步骤S2、采用激光对柔性衬底基板(110)进行激光剥离,使所述柔性衬底基板(110)从玻璃基板(500)上剥离下来;
所述玻璃基板(500)对所述步骤S2中所采用的激光的透过率为96%以上。
2.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所形成的柔性衬底基板(110)为聚酰亚胺基板,其具体形成过程为:在所述玻璃基板(500)上涂布一层聚酰亚胺材料,对其进行烘烤,得到聚酰亚胺材料的柔性衬底基板(110)。
3.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中所采用的激光的波长为308nm。
4.如权利要求3所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中所使用的激光的能量为400-430mj。
5.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所形成的TFT层(120)用于对所述OLED层(130)进行驱动,包括多个阵列排布的TFT器件,所述TFT器件为低温多晶硅型、或者金属氧化物型。
6.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中所形成的OLED层(130)包括设于所述TFT层(120)上的第一电极层(131)、设于所述TFT层(120)和第一电极层(131)上的像素定义层(135)、设于第一电极层(131)上的有机功能层(132)、以及设于像素定义层(135)和有机功能层(132)上的第二电极层(133);
所述像素定义层(135)在第一电极层(131)上围出多个阵列排布的像素开口(138);所述有机功能层(132)设于所述像素开口(138)内;每一像素开口(138)内的有机功能层(132)、其下方对应的第一电极层(131)、以及其上方对应的第二电极层(133)共同构成一OLED器件(D)。
7.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中形成OLED层(130)的具体过程为:在所述TFT层(120)上形成第一电极层(131),在所述TFT层(120)及第一电极层(131)上形成像素定义层(135),在所述像素定义层(135)的多个像素开口(138)内形成有机功能层(132),在所述像素定义层(135)及有机功能层(132)上形成第二电极层(133)。
8.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中形成OLED层(130)中,所述第一电极层(131)、第二电极层(133)分别用作OLED器件(D)的阳极和阴极,所述第一电极层(131)为氧化铟锡层/银层/氧化铟锡层的叠层材料。
9.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述有机功能层(132)包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
10.如权利要求6所述的柔性OLED面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1还包括在形成所述OLED层(130)之后,在所述OLED层(130)上形成封装层,以对所述述OLED层(130)进行封装;
所述封装层为薄膜封装结构,包括层叠设置的无机阻挡层和有机缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的