[发明专利]半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

绝缘基板；

多晶硅层，所述多晶硅层形成在所述绝缘基板上；

第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层形成在所述多晶硅层上；

第一金属层，所述第一金属层形成在所述第一栅极绝缘层上；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层形成在所述第一栅极绝缘层上；

第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层形成在所述氧化物半导体层上；

第二金属层，所述第二金属层形成在所述第二栅极绝缘层上；

第一顶栅平面型薄膜晶体管，所述第一顶栅平面型薄膜晶体管将所述多晶硅层用作沟道并包括源极、漏极及栅极；以及

第二顶栅型薄膜晶体管，所述第二顶栅型薄膜晶体管将所述氧化物半导体层用作沟道并包括源极、漏极及栅极，其中，

所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第二顶栅型薄膜晶体管的栅极由所述第二金属层构成，以及

所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的源极或漏极和所述第二顶栅型薄膜晶体管的栅极相互电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第一栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的界面区域上形成氢浓度变得局部最大的高氢浓度区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述高氢浓度区域中的氢浓度大于或等于所述第一栅极绝缘层的内部区域或所述氧化物半导体层的内部区域中的氢浓度的10倍且小于所述第一栅极绝缘层的内部区域或所述氧化物半导体层的内部区域中的氢浓度的100倍。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述高氢浓度区域中的氢浓度大于或等于1×10²¹cm^-3且小于1×10²²cm^-3。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二顶栅型薄膜晶体管的源极和漏极由所述第一金属层形成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，还包括形成在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间的层间绝缘层，

其中，所述第二顶栅型薄膜晶体管的源极和漏极经由形成在所述层间绝缘层中的接触孔电连接到所述第二顶栅型薄膜晶体管的所述沟道。

7.一种显示设备，包括：

根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置；以及

发光元件，其中，

所述第二顶栅型薄膜晶体管将驱动电流供应给所述发光元件，以及

所述第一顶栅平面型薄膜晶体管控制所述第二顶栅型薄膜晶体管的栅极电压。

8.根据权利要求7所述的显示设备，包括：

用于对所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的源极或漏极施加电压的数据线；以及

对所述第二顶栅型薄膜晶体管施加电源电压的电源线，其中，

所述数据线和所述电源线由所述第二金属层形成。

9.根据权利要求7或8所述的显示设备，包括：用于对所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的栅极施加电压的扫描线，其中，

所述扫描线由所述第一金属层形成。