[发明专利]制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法

说明书

公开提供一种制程零件，适用于一沉积制程设备。上述制程零件包括一中空环形结构、多个第一沟槽及多个第二沟槽。中空环形结构具有一环形表面。第一沟槽与第二沟槽形成于环形表面上，且第一沟槽与第二沟槽相交而形成一网状图案。

技术领域

本发明实施例关于一种半导体技术，特别是有关于一种可改善沉积制程的制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法。

背景技术

半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影制程图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。

举例来说，溅镀法(sputtering)是一种物理气相沉积方法(physical vapordeposition)，可以被广泛用于沉积金属层材料或薄膜。溅镀法的工作原理乃是通过在一接近真空的密闭腔室中通入少量的惰性气体(通常使用氩气(Ar))，然后在阳极和阴极间施加高电压使气体解离产生等离子体(plasma)，接着解离的氩气离子(Ar⁺)以高能量射至阴极的金属靶材上，使靶材表面的金属粒子被撞击下来并沉积在基板表面上。

虽然现有的沉积技术及设备已经足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，需要提供一种改善沉积制程的方案。

发明内容

本公开一些实施例提供一种制程零件，适用于一沉积制程设备，包括一中空环形结构、多个第一沟槽及多个第二沟槽。中空环形结构具有一环形表面。第一沟槽与第二沟槽形成于环形表面上，且第一沟槽与第二沟槽相交而形成一网状图案。

本公开一些实施例提供一种半导体制造设备，包括一制程腔室及一制程零件。制程零件设置于制程腔室内，用以在制造过程中减少制程材料沉积于制程腔室的一内壁表面及/或一基板承载平台上。制程零件朝向一靶材元件的一表面上具有多个第一沟槽及多个第二沟槽，且第一沟槽与第二沟槽相交而形成一网状图案。

本公开一些实施例提供一种半导体制造方法，包括放置一基板于一制程腔室中。上述方法还包括对基板进行一沉积制程。此外，上述方法包括在沉积制程中，通过制程腔室内的一制程零件以减少制程材料沉积于制程腔室内的一或多个部件上，其中，制程零件的一表面上具有多个第一沟槽及多个第二沟槽，且第一沟槽与第二沟槽相交而形成一网状图案。

附图说明

图1显示根据一些实施例的一半导体制造设备的示意图。

图2显示根据一些实施例的沉积环的上视图。

图3显示图2的沉积环的局部立体图。

图4A至4D分别显示根据一些实施例的沉积环上的沟槽的截面示意图。

图5A及5B显示分别根据一些实施例的沉积环上的沟槽的制作方法示意图。

图6显示根据一些实施例的覆盖环的局部上视图。

图7显示根据一些实施例的覆盖环的局部上视图。

图8显示根据一些实施例的一半导体制造方法的流程图。

【符号说明】

1～半导体制造设备；

10～制程腔室；

10A～外壳；

10B～上开口；

10C～内壁表面；

10D～凸缘；

11～承载平台；

11A～机轴；

11B～驱动机构；