[发明专利]制程零件、半导体制造设备及半导体制造方法

权利要求书

1.一种制程零件，适用于一沉积制程设备，包括：

一中空环形结构，具有一环形表面；以及

多个第一沟槽及多个第二沟槽，形成于该环形表面上，且该些第一沟槽与该些第二沟槽相交而形成一网状图案，

其中该些第一沟槽相对于该中空环形结构的一圆心以同心圆形式等间隔地排列于该环形表面上，且该些第二沟槽相对于该圆心以放射状形式等间隔地排列于该环形表面上，

其中靠近该环形表面的一内侧边缘与一外侧边缘的该些第一沟槽的宽度大于位于该环形表面的一中间区域内的该些第一沟槽的宽度。

2.如权利要求1所述的制程零件，其中该些第一、第二沟槽均匀地分布于该环形表面上或该环形表面上的一环形区域内。

3.如权利要求1所述的制程零件，其中该些第一、第二沟槽的宽度介于0.5毫米至5毫米之间，而该些第一、第二沟槽的深度介于0.5毫米至5毫米之间。

4.如权利要求1所述的制程零件，其中该些第一、第二沟槽的截面呈一矩形、方形、三角形、梯形、半圆形或U字型。

5.如权利要求1至4中任一所述的制程零件，该中空环形结构更具有一底材及位于该底材上的至少一材料层，其中该底材或该材料层的一表面上具有多个第三沟槽及多个第四沟槽，分别对应于该些第一沟槽与该些第二沟槽。

6.如权利要求1所述的制程零件，其中该制程零件是一沉积环或一覆盖环。

7.一种半导体制造设备，包括：

一制程腔室；以及

一制程零件，设置于该制程腔室内，且包括一中空环形结构，该制程零件用以在制造过程中减少制程材料沉积于该制程腔室的一内壁表面及/或一基板承载平台上，其中该中空环形结构朝向一靶材元件的一环形表面上具有多个第一沟槽及多个第二沟槽，且该些第一沟槽与该些第二沟槽相交而形成一网状图案，

其中该些第一沟槽相对于该中空环形结构的一圆心以同心圆形式等间隔地排列于该环形表面上，且该些第二沟槽相对于该圆心以放射状形式等间隔地排列于该环形表面上，

其中靠近该环形表面的一内侧边缘与一外侧边缘的该些第一沟槽的宽度大于位于该环形表面的一中间区域内的该些第一沟槽的宽度。

8.一种半导体制造方法，包括：

放置一基板于一制程腔室中；

对该基板进行一沉积制程；以及

在该沉积制程中，通过该制程腔室内的一制程零件以减少制程材料沉积于该制程腔室内的一或多个部件上，其中该制程零件包括一中空环形结构，该中空环形结构的一环形表面上具有多个第一沟槽及多个第二沟槽，且该些第一沟槽与该些第二沟槽相交而形成一网状图案，

其中该些第一沟槽相对于该中空环形结构的一圆心以同心圆形式等间隔地排列于该环形表面上，且该些第二沟槽相对于该圆心以放射状形式等间隔地排列于该环形表面上，

其中靠近该环形表面的一内侧边缘与一外侧边缘的该些第一沟槽的宽度大于位于该环形表面的一中间区域内的该些第一沟槽的宽度。