[发明专利]半导体封装用热固性树脂组合物在审

专利信息
申请号: 201710778441.8 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN107793757A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 隅田和昌;中村朋阳;串原直行 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08L79/04 分类号: C08L79/04;C08K9/06;C08K7/18;C08K5/17;H01L23/29
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 热固性 树脂 组合
【权利要求书】:

1.一种半导体封装用热固性树脂组合物,其特征在于:

包括下述(A)~(E)成分,

(A)在1分子中具有2个以上的氰酰基的氰酸酯化合物,其含有由下述通式(1)所表示的氰酸酯化合物(A-1),该氰酸酯化合物(A-1)依据JISK7117-1:1999记载的方法使用B型旋转粘度计所测定的在23℃下的粘度为50Pa·s以下,

[化学式1]

在通式(1)中,R1和R2表示氢原子或碳原子数1~4的烷基,R3为选自下述通式(2)~通式(5)中的二价的连接基,n=0或1的整数,

[化学式2]

-CH2-(2)

-O-(5)

(B)酚类固化剂,其含有用下述通式(6)所表示的间苯二酚型酚醛树脂,

[化学式3]

在通式(6)中,n表示0~10的整数,R1和R2分别独立地表示选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基、烯丙基以及乙烯基中的一价基团,x表示1或2,(C)固化促进剂,其相对于(A)成分100质量份为0.01~5质量份,

(D)无机质填充材料,其为通过激光衍射法所测定的平均粒径为1~20μm的球状,且用由下述通式(7)所表示的硅烷偶联剂进行了表面处理,

[化学式4]

R1a(OR2)(3-a)Si-C3H6-R3(7)

在通式(7)中,R1为甲基或乙基,R2为碳原子数1~3的烷基,R3为选自以由述通式(8)~通式(11)所表示的含氮官能团中的基团,a为0~3的整数,

[化学式5]

-NH2

(8)

-NHC6H5

(9)

-NHC2H4NH2(10)

其相对于(A)成分和(B)成分的总计100质量份为1200~2200质量份,

(E)由下述通式(12)所表示的酯化合物,

R4-CH2CH2-NH-CH2CH2-R5(12)

R4、R5表示碳原子数2~30的饱和酯残基,

其相对于(A)成分和(B)成分的总计100质量份为1~10质量份。

2.如权利要求1所述的半导体封装用热固性树脂组合物,其特征在于,

在所述(A)成分中,相对于(A)成分整体的配合量,由通式(1)表示的氰酸酯化合物(A-1)以外的氰酸酯化合物的含量为小于10质量%。

3.如权利要求1所述的半导体封装用热固性树脂组合物,其特征在于,

在所述(B)成分中,相对于(B)成分整体的配合量,由通式(6)表示的间苯二酚型酚醛树脂的量为10质量%~100质量%。

4.如权利要求1所述的半导体封装用热固性树脂组合物,其特征在于,

相对于(B)成分的酚类固化剂中的羟基1当量,(A)成分的氰酸酯化合物中的氰酰基的量为0.5~100当量。

5.如权利要求1所述的半导体封装用热固性树脂组合物,其特征在于,

使用5×5×15mm的试片,依据于JIS K 7197:2012所记载的方法,以升温速度5℃/分钟且施加荷重19.6mN时所测定的线膨胀系数为3.0~5.0ppm/℃的范围。

6.一种树脂封装型半导体装置的制造方法,其特征在于,

具有用半导体封装用热固性树脂组合物的固化物一次性封装载置了一个以上的半导体元件的硅晶片或基板整体的工艺,该工艺在按压下被覆权利要求1所述的半导体封装用热固性树脂组合物、或在真空条件下减压被覆权利要求1所述的半导体封装用热固性树脂组合物,且加热固化该树脂组合物,从而封装半导体元件。

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