[发明专利]高频装置及其制造方法

说明书

本公开提供一种高频装置的制造方法，包括：提供基板；形成导电材料于基板上；静置第一时间间隔；依序重复形成导电材料的步骤以及静置的步骤至少一次以形成导电层，其中导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及图案化导电层。本公开亦提供一种高频装置。

技术领域

本公开是有关于一种高频装置及其制造方法，特别是有关于高频装置的导电层及其制造方法。

背景技术

在传统显示器的制作上，以例如物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)于基板上进行导电层的沉积时，仅需沉积数千埃即符合产品的需求，但对于高频装置(例如，天线)而言，于基板上设置厚度较厚的导电层是必要的。然而，对于一般厚度的基板来说，于其上镀覆厚度较厚的导电层(例如，大于1微米(μm)以上)需要长时间的连续沉积，而过程中的原子撞击释放大量热能累积于导电层及基板，使得导电层或基板因结构的应力增加而产生翘曲(warpage)的现象，导致镀覆导电材料(例如，金属)的基板无法顺利进入设备机台中进行后续的制程作业，例如，光刻、清洗制程等，造成厚导电层组件的制作困难。

因此，开发一种可有效维持平坦态样的导电覆层结构，可减少前述在基板上制作厚导电层时所产生的翘曲问题。

发明内容

在一些实施例中，本公开提供一种高频装置的制造方法，包括：提供一基板；形成一导电材料于该基板上；静置一第一时间间隔；依序重复该形成该导电材料的步骤以及该静置的步骤至少一次以形成一导电层，其中该导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及图案化该导电层。

在另一些实施例中，本公开提供一种高频装置的制造方法，包括：提供一基板；形成一导电层于该基板上，该基板的温度的范围为10℃至130℃；以及图案化该导电层。

在又一些实施例中，一种高频装置结构，包括：一基板；以及一图案化导电层，位于该基板上，且该图案化导电层具有一厚度；其中，该图案化导电层在邻近该基板处有一第一位置，该图案化导电层在远离该基板处有一第二位置，该第一位置位于距离该基板1/5的该厚度处，该第二位置位于距离该基板4/5的该厚度处，且该第一位置的晶粒尺寸大于该第二位置的晶粒尺寸。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1是根据本公开一些实施例中，高频装置的制造方法的步骤流程图；

图2A至图2E是根据本公开一些实施例中，高频装置在制程中不同阶段的剖面图；

图3是根据本公开一些实施例中，高频装置的制造方法的步骤流程图；

图4A至图4C是根据本公开一些实施例中，高频装置在制程中不同阶段的剖面图；

图5A至图5D是根据本公开一些实施例中，使用扫描电子显微镜(scanningelectron microscope，SEM)观测高频装置结构的图案化导电层所得到的影像示意图；

图6A至图6E是根据本公开一些实施例中，导电层的X-射线绕射分析图。

图中元件标号说明：

10 高频装置的制造方法；

12～26 高频装置的制造方法的步骤；

30 高频装置的制造方法；

32～38 高频装置的制造方法的步骤；

100 基板；

102 缓冲层；

102’ 图案化缓冲层；

104 导电层；

104’ 图案化导电层；