[发明专利]高频装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710749904.8 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN108321086B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 翁銘彦;高克毅;何家齐;筱崎勉;王程麒;李宜音 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶天线的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板的材料包括玻璃；
形成一缓冲层于该基板上，且该缓冲层的材料包括钼；
形成一导电材料于该缓冲层上；
静置一第一时间间隔，其中该第一时间间隔的范围为0.5分钟至30分钟；
依序重复该形成该导电材料的步骤以及该静置的步骤至少一次以形成一导电层，其中该导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm；以及
图案化该导电层，其中经图案化的该导电层在邻近该基板处有一第一位置，该图案化导电层在远离该基板处有一第二位置，该第一位置位于距离该基板1/5的该厚度处，该第二位置位于距离该基板4/5的该厚度处，且该第一位置的晶粒尺寸大于该第二位置的晶粒尺寸。
2.如权利要求1所述的液晶天线的制造方法，其特征在于，该导电层包括铜。
3.一种液晶天线的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板的材料包括玻璃；
形成一缓冲层于该基板上，且该缓冲层的材料包括钼；
形成一导电材料于该缓冲层上；
静置一第一时间间隔，其中该第一时间间隔的范围为0.5分钟至30分钟；
依序重复该形成该导电材料的步骤以及该静置的步骤至少一次以形成一导电层于该基板上，该基板的温度的范围为10℃至130℃；以及
图案化该导电层，其中经图案化的该导电层在邻近该基板处有一第一位置，该图案化导电层在远离该基板处有一第二位置，该第一位置位于距离该基板1/5的该厚度处，该第二位置位于距离该基板4/5的该厚度处，且该第一位置的晶粒尺寸大于该第二位置的晶粒尺寸。
4.如权利要求3所述的液晶天线的制造方法，其特征在于，该导电层的厚度的范围为0.9μm至10μm。
5.如权利要求3所述的液晶天线的制造方法，其特征在于，该导电层包括铜。
6.一种液晶天线结构，其特征在于，包括：
一基板，该基板的材料包括玻璃；
一缓冲层，位于该基板上，且该缓冲层的材料包括钼；以及
一图案化导电层，位于该缓冲层上，且该图案化导电层具有一厚度；
其中，该图案化导电层在邻近该基板处有一第一位置，该图案化导电层在远离该基板处有一第二位置，该第一位置位于距离该基板1/5的该厚度处，该第二位置位于距离该基板4/5的该厚度处，且该第一位置的晶粒尺寸大于该第二位置的晶粒尺寸。
7.如权利要求6所述的液晶天线结构，其特征在于，该图案化导电层在邻近该第二位置处具有一层叠结构。
8.如权利要求6所述的液晶天线结构，其特征在于，该图案化导电层包括铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
