[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板。

背景技术

随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶液晶面板及背光模组(backlight module)。目前主流市场上的TFT-LCD，就液晶的驱动模式而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，面内转换(In-Plane Switching，IPS)型及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中IPS模式是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式，由于具有优异的视角特性和按压特性而受到广泛关注和应用。

现有技术中，IPS模式液晶面板的阵列基板的制作过程复杂，提高了阵列基板的制作成本，导致IPS模式的液晶显示器的生产成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板，用以解决现有技术中IPS模式的液晶显示器的生产成本较高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上沉积第一金属层，利用第一光罩图案化所述第一金属层形成相互绝缘的栅极与公共电极；

在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极与所述公共电极；

在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，图案化所述半导体层形成有源层，利用第二光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极，所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。

一种实施方式中，在形成所述源极、所述漏极及所述像素电极后，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述源极、所述漏极及所述像素电极的表面沉积钝化层，并利用第三光罩图案化所述钝化层。

一种实施方式中，图案化所述半导体层形成所述有源层的过程包括：

利用第四光罩图案化所述半导体层形成所述有源层。

一种实施方式中，所述第二光罩为多灰阶光罩，图案化所述半导体层形成所述有源层的过程包括：

利用所述第二光罩同时图案化所述第二金属层和所述半导体层形成所述源极、所述漏极、所述像素电极及所述有源层。

一种实施方式中，利用所述第一光罩图案化所述第一金属层形成所述公共电极的同时，通过所述第一光罩图案化所述第一金属层形成公共信号线，所述公共信号线与所述公共电极电连接。

本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层及第二金属层，所述第一金属层位于所述基板表面，所述第一金属层包括相互绝缘的栅极与公共电极，所述栅极绝缘层位于所述基板面对所述第一金属层的一侧并覆盖所述栅极与所述公共电极，所述有源层和所述第二金属层依次层叠于所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括源极、漏极及像素电极，所述源极和所述漏极通过所述有源层单向导通，所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。

一种实施方式中，所述像素电极还包括钝化层，所述钝化层层叠设置于所述第二金属层上。

一种实施方式中，所述第一金属层还包括公共信号线，所述公共信号线与所述公共电极电连接。

一种实施方式中，所述像素电极的数量为多个，所述公共电极的数量为多个，所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极交错排列。

本发明还提供一种液晶面板，所述液晶面板包括彩膜基板、液晶层及以上任意一项所述的阵列基板，所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述液晶面板通过所述像素电极与所述公共电极之间的电压差控制所述液晶层的液晶分子转动，并通过所述彩膜基板显示图像。