[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板在审
申请号: | 201710697585.0 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107316875A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 甘启明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 液晶面板 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上沉积第一金属层,利用第一光罩图案化所述第一金属层形成相互绝缘的栅极与公共电极;
在所述基板上沉积栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述栅极与所述公共电极;
在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层,图案化所述半导体层形成有源层,利用第二光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极,所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在形成所述源极、所述漏极及所述像素电极后,所述阵列基板的制作方法还包括:
在所述源极、所述漏极及所述像素电极的表面沉积钝化层,并利用第三光罩图案化所述钝化层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,图案化所述半导体层形成所述有源层的过程包括:
利用第四光罩图案化所述半导体层形成所述有源层。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第二光罩为多灰阶光罩,图案化所述半导体层形成所述有源层的过程包括:
利用所述第二光罩同时图案化所述第二金属层和所述半导体层形成所述源极、所述漏极、所述像素电极及所述有源层。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,利用所述第一光罩图案化所述第一金属层形成所述公共电极的同时,通过所述第一光罩图案化所述第一金属层形成公共信号线,所述公共信号线与所述公共电极电连接。
6.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层及第二金属层,所述第一金属层位于所述基板表面,所述第一金属层包括相互绝缘的栅极与公共电极,所述栅极绝缘层位于所述基板面对所述第一金属层的一侧并覆盖所述栅极与所述公共电极,所述有源层和所述第二金属层依次层叠于所述栅极绝缘层上,所述第二金属层包括源极、漏极及像素电极,所述源极和所述漏极通过所述有源层单向导通,所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极还包括钝化层,所述钝化层层叠设置于所述第二金属层上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层还包括公共信号线,所述公共信号线与所述公共电极电连接。
9.根据权利要求6至8任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极的数量为多个,所述公共电极的数量为多个,所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极交错排列。
10.一种液晶面板,其特征在于,所述液晶面板包括彩膜基板、液晶层及权利要求6至9任意一项所述的阵列基板,所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间,所述液晶面板通过所述像素电极与所述公共电极之间的电压差控制所述液晶层的液晶分子转动,并通过所述彩膜基板显示图像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710697585.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板及其制作方法、显示装置
- 下一篇:像素阵列基板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的