[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在不增加阵列基板中面状电极和狭缝电极之间的存储电容的基础上，提高面状电极和狭缝电极之间的电场利用率；该阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且面状电极位于狭缝电极靠近衬底基板的一侧，狭缝电极包括多个条状子电极，在亚像素中，狭缝电极和面状电极之间设置有绝缘层，绝缘层背离衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

现有的液晶显示装置包括多种显示模式，例如TN(Twist Nematic，扭曲向列)型、ADS(Advanced-Super Dimensional Switching，高级超维场开关、IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型等，其中ADS型显示模式由于其宽视角，广泛应用于电视显示领域。如图1所示，为现有技术中的ADS模式的液晶显示面板，包括阵列基板01、彩膜基板03以及位于阵列基板01和彩膜基板03之间的液晶层02；其中，阵列基板01中包括用于驱动液晶层02的面状电极10和狭缝电极20，且狭缝电极20相对于面状电极10靠近液晶层02。该ADS模式的显示面板中，由于面状电极和狭缝电极之间正对的面积较大，进而使得两者之间存储电容相对于正常显示的所需电容明显增加，从而对显示画面会造成不良影响。

基于上述问题，可以采用增加面状电极和狭缝电极之间距离(即增加两者之间的绝缘层的厚度)，以降低两者之间的存储电容，但是采用该方法降低存储电容的同时，会导致电场的利用率降低，进而使得显示装置的工作电压Vop增加，也即通过调整面状电极和狭缝电极之间距离，会出现存储电容降低的同时，工作电压Vop增加；或者，工作电压Vop降低的同时，存储电容增加。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在不增加阵列基板中面状电极和狭缝电极之间的存储电容的基础上，提高面状电极和狭缝电极之间的电场利用率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例一方面提供一种阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且所述面状电极位于所述狭缝电极靠近所述衬底基板的一侧，所述狭缝电极包括多个条状子电极，在所述亚像素中，所述狭缝电极和所述面状电极之间设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。

进一步优选的，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间均设置有凹槽。

进一步优选的，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间限定的区域内整体凹陷以形成所述凹槽。

进一步优选的，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板与所述面状电极之间的介质层，所述介质层包括对应所述凹槽位置的垫高部。

进一步优选的，所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，且所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧；其中，在所述亚像素中，所述栅极绝缘层为面状结构，所述保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述栅极绝缘层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽。

进一步优选的，所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，且所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧；其中，在所述亚像素中，所述栅极绝缘层为面状结构，所述凹槽位于所述保护层中。